| Điều kiện | New and Original |
|---|---|
| Gốc | Contact us |
| Nhà phân phối | Boser Technology |
| Voltage - Đỉnh ngược (Max): | Silicon Carbide Schottky |
| Voltage - Chuyển tiếp (VF) (Max) @ Nếu: | 10A (DC) |
| Voltage - Breakdown: | PG-TO247-3 |
| Loạt: | thinQ!™ |
| Tình trạng RoHS: | Tube |
| Xếp Thời gian phục hồi (TRR): | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Kháng @ Nếu, F: | 300pF @ 1V, 1MHz |
| sự phân cực: | TO-247-3 |
| Vài cái tên khác: | IDW10G65C5 IDW10G65C5-ND SP000937038 |
| Nhiệt độ hoạt động - Junction: | 0ns |
| gắn Loại: | Through Hole |
| Mức độ nhạy ẩm (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Số phần của nhà sản xuất: | IDW10G65C5FKSA1 |
| Mô tả mở rộng: | Diode Silicon Carbide Schottky 650V 10A (DC) Through Hole PG-TO247-3 |
| Cấu hình diode: | 400µA @ 650V |
| Sự miêu tả: | DIODE SCHOTTKY 650V 10A TO247-3 |
| Hiện tại - Xếp Rò rỉ @ VR: | 1.7V @ 10A |
| Hiện tại - Trung bình sửa chữa (Io) (mỗi Diode): | 650V |
| Dung @ VR, F: | -55°C ~ 175°C |
| Email: | [email protected] |
