| Condição | New and Original |
|---|---|
| Origem | Contact us |
| Distribuidor | Boser Technology |
| Tensão - Pico Reversa (Max): | Silicon Carbide Schottky |
| Tensão - Forward (FV) (Max) @ Se: | 10A (DC) |
| Tensão - Breakdown: | PG-TO247-3 |
| Série: | thinQ!™ |
| Status de RoHS: | Tube |
| Inversa de tempo de recuperação (trr): | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Resistência @ Se, F: | 300pF @ 1V, 1MHz |
| Polarização: | TO-247-3 |
| Outros nomes: | IDW10G65C5 IDW10G65C5-ND SP000937038 |
| Temperatura de Operação - Junção: | 0ns |
| Tipo de montagem: | Through Hole |
| Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Número de peça do fabricante: | IDW10G65C5FKSA1 |
| Descrição expandida: | Diode Silicon Carbide Schottky 650V 10A (DC) Through Hole PG-TO247-3 |
| configuração de diodo: | 400µA @ 650V |
| Descrição: | DIODE SCHOTTKY 650V 10A TO247-3 |
| Atual - dispersão reversa @ Vr: | 1.7V @ 10A |
| Atual - rectificada média (Io) (por Diode): | 650V |
| Capacitância @ Vr, F: | -55°C ~ 175°C |
| Email: | [email protected] |
