| Kunto | New and Original |
|---|---|
| alkuperä | Contact us |
| Jakelija | Boser Technology |
| Jännite - Peak Reverse (Max): | Silicon Carbide Schottky |
| Jännite - Eteenpäin (Vf) (Max) @ Jos: | 10A (DC) |
| Jännite - Breakdown: | PG-TO247-3 |
| Sarja: | thinQ!™ |
| RoHS-tila: | Tube |
| Käänteinen Recovery Time (TRR): | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Resistance @ Jos F: | 300pF @ 1V, 1MHz |
| Polarisaatio: | TO-247-3 |
| Muut nimet: | IDW10G65C5 IDW10G65C5-ND SP000937038 |
| Käyttölämpötila - liitäntä: | 0ns |
| Asennustyyppi: | Through Hole |
| Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Valmistajan osanumero: | IDW10G65C5FKSA1 |
| Laajennettu kuvaus: | Diode Silicon Carbide Schottky 650V 10A (DC) Through Hole PG-TO247-3 |
| diodikonfiguraatiolla: | 400µA @ 650V |
| Kuvaus: | DIODE SCHOTTKY 650V 10A TO247-3 |
| Nykyinen - Käänteinen Vuoto @ Vr: | 1.7V @ 10A |
| Nykyinen - Keskimääräinen Puhdistettu (Io) (per Diode): | 650V |
| Kapasitanssi @ Vr, F: | -55°C ~ 175°C |
| Email: | [email protected] |
