| เงื่อนไข | New and Original |
|---|---|
| ที่มา | Contact us |
| ผู้จัดจำหน่าย | Boser Technology |
| แรงดันไฟฟ้า - ยอดย้อนกลับ (สูงสุด): | Silicon Carbide Schottky |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก: | 10A (DC) |
| แรงดันไฟฟ้า - พังทลาย: | PG-TO247-3 |
| ชุด: | thinQ!™ |
| สถานะ RoHS: | Tube |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR): | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| ต้านทาน @ ถ้า F: | 300pF @ 1V, 1MHz |
| โพลาไรซ์: | TO-247-3 |
| ชื่ออื่น: | IDW10G65C5 IDW10G65C5-ND SP000937038 |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction: | 0ns |
| ประเภทการติดตั้ง: | Through Hole |
| ระดับความไวของความชื้น (MSL): | 1 (Unlimited) |
| หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต: | IDW10G65C5FKSA1 |
| ขยายคำอธิบาย: | Diode Silicon Carbide Schottky 650V 10A (DC) Through Hole PG-TO247-3 |
| การกำหนดค่าไดโอด: | 400µA @ 650V |
| ลักษณะ: | DIODE SCHOTTKY 650V 10A TO247-3 |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr: | 1.7V @ 10A |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) (ต่อ Diode): | 650V |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F: | -55°C ~ 175°C |
| Email: | [email protected] |
