| Stan | New and Original |
|---|---|
| Pochodzenie | Contact us |
| Dystrybutor | Boser Technology |
| Napięcie - Szczyt Rewers (Max): | Silicon Carbide Schottky |
| Napięcie - Forward (VF) (Max) @ Jeśli: | 10A (DC) |
| Napięcie - Podział: | PG-TO247-3 |
| Seria: | thinQ!™ |
| Stan RoHS: | Tube |
| Odwrócona Recovery Time (TRR): | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Odporność @ Jeżeli F: | 300pF @ 1V, 1MHz |
| Polaryzacja: | TO-247-3 |
| Inne nazwy: | IDW10G65C5 IDW10G65C5-ND SP000937038 |
| Temperatura pracy - złącze: | 0ns |
| Rodzaj mocowania: | Through Hole |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Numer części producenta: | IDW10G65C5FKSA1 |
| Rozszerzony opis: | Diode Silicon Carbide Schottky 650V 10A (DC) Through Hole PG-TO247-3 |
| Diode Configuration: | 400µA @ 650V |
| Opis: | DIODE SCHOTTKY 650V 10A TO247-3 |
| Obecny - Reverse Przeciek @ Vr: | 1.7V @ 10A |
| Obecny - Średnia Spirytus (Io) (za Diode): | 650V |
| Pojemność @ VR F: | -55°C ~ 175°C |
| Email: | [email protected] |
