العربية
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Svenska Български език✕
معلومات عنا | اتصل بنا | اطلب اقتباس |
الصفحة الرئيسية > بطاقة خط > Winbond Electronics Corporation

بطاقة خط

Winbond Electronics Corporation

Winbond Electronics Corporation

- شركة Winbond Electronics Corporation هي شركة تعمل في مجال الذاكرة IC تعمل في مجال التصميم والتصنيع وخدمة المبيعات لتوفير حلول الذاكرة عالية الجودة للعملاء العالميين. تشمل خطوط منتجات Winbond ذاكرة التخزين المؤقت للذاكرة ، و NAND Serial و Parallel NAND ، و DRAM الخاص و DRAM المحمول.
تستخدم منتجات Winbond على نطاق واسع من قبل الشركات في أسواق IoT العمودية مثل الحوسبة وأجهزة الوسائط المتعددة المتصلة والسيارات وأنظمة الشبكات والصناعية. تقدم شركة Winbond منتجات الفلاش والدرام ذات التصنيف الصناعي والعلوي مع دعم طويل العمر. لدى Winbond ما يقرب من 2200 موظف حول العالم ، والتي تشمل FAB 12 بوصة في مقرها الرئيسي في تايشونج ، تايوان.
صورة رقم القطعة وصف رأي
W947D2HBJX5I TR Image W947D2HBJX5I TR IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA تحقيق
W972GG6JB25I Image W972GG6JB25I IC DRAM 2G PARALLEL 84WBGA تحقيق
W29GL128CL9C TR IC FLASH 128M PARALLEL 56TFBGA تحقيق
W29N02GZBIBA Image W29N02GZBIBA IC FLASH 2G PARALLEL 63VFBGA تحقيق
W25Q16CVSSJG IC FLASH MEMORY 16MB تحقيق
W25Q32JVSSIQ IC FLASH 32M SPI 133MHZ 8SOIC تحقيق
W25X05CLUXIG TR Image W25X05CLUXIG TR IC FLASH 512K SPI 104MHZ 8USON تحقيق
W949D6DBHX5E TR Image W949D6DBHX5E TR IC DRAM 512M PARALLEL 60VFBGA تحقيق
W25Q32BVZPJP IC FLASH MEMORY 32MB تحقيق
W25Q128FWEIG IC FLASH 128M SPI 104MHZ 8WSON تحقيق
W631GU6KB12I Image W631GU6KB12I IC DRAM 1G PARALLEL 96WBGA تحقيق
W9412G6KH-5 Image W9412G6KH-5 IC DRAM 128M PARALLEL 66TSOP II تحقيق
W9864G6JH-5 Image W9864G6JH-5 IC DRAM 64M PARALLEL 54TSOP تحقيق
W25Q16CVZPJP TR IC FLASH MEMORY 16MB تحقيق
W9825G2JB-6I TR Image W9825G2JB-6I TR IC DRAM 256M PARALLEL 90TFBGA تحقيق
W631GU8KB11I IC SDRAM 1GBIT 78BGA تحقيق
W9825G6KH-6I Image W9825G6KH-6I IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP تحقيق
W25Q32JVTBIQ TR Image W25Q32JVTBIQ TR IC FLASH 32M SPI 133MHZ 24TFBGA تحقيق
W25Q16BVSFIG TR IC FLASH 16M SPI 104MHZ 16SOIC تحقيق
W9725G8KB-18 Image W9725G8KB-18 IC DRAM 256M PARALLEL 60WBGA تحقيق
W632GG8MB-15 Image W632GG8MB-15 IC DRAM 2G PARALLEL 667MHZ تحقيق
W25Q128JVEIQ TR IC FLASH 128M SPI 133MHZ 8WSON تحقيق
W25Q256JVCIQ Image W25Q256JVCIQ IC FLASH 256M SPI 24TFBGA تحقيق
W29GL256PL9T TR Image W29GL256PL9T TR IC FLASH 256M PARALLEL 56TSOP تحقيق
W25Q32FVTBJQ IC FLASH MEMORY 32MB تحقيق
W972GG8JB25I IC DRAM 2G PARALLEL 60WBGA تحقيق
W631GG6KB-11 TR Image W631GG6KB-11 TR IC DRAM 1G PARALLEL 96WBGA تحقيق
W19B320ABB7H IC FLASH 32M PARALLEL 48TFBGA تحقيق
W25Q16CVSNJP IC FLASH MEMORY 16MB تحقيق
W25Q32FVTCIP TR Image W25Q32FVTCIP TR IC FLASH 32M SPI 104MHZ 24TFBGA تحقيق
W9816G6JH-5 TR Image W9816G6JH-5 TR IC DRAM 16M PARALLEL 50TSOP II تحقيق
W25Q64FVSCB1 IC FLASH 64M SPI 104MHZ تحقيق
W25Q16CLZPIG TR IC FLASH 16M SPI 50MHZ 8WSON تحقيق
W25Q40BWZPIG TR IC FLASH 4M SPI 80MHZ 8WSON تحقيق
W25Q20EWSNIG TR IC FLASH 2M SPI 104MHZ 8SOIC تحقيق
W25Q16CLSSIG TR IC FLASH 16M SPI 50MHZ 8SOIC تحقيق
W25Q40CLZPIG IC FLASH 4M SPI 104MHZ 8WSON تحقيق
W25Q32FWZPIQ TR IC FLASH 32M SPI 104MHZ 8WSON تحقيق
W25Q128FVBJQ IC FLASH MEMORY 128MB تحقيق
W25X40BVZPIG IC FLASH 4M SPI 104MHZ 8WSON تحقيق
W972GG8JB-3I IC DRAM 2G PARALLEL 60WBGA تحقيق
W25Q16DVSNJP TR IC FLASH MEMORY 16MB تحقيق
W25Q16JVZPIQ TR IC FLASH 16M SPI 133MHZ 8WSON تحقيق
W25Q64FVTCJQ TR IC FLASH MEMORY 64MB تحقيق
W19B320ATT7H Image W19B320ATT7H IC FLASH 32M PARALLEL 48TSOP تحقيق
W25Q257FVFIG IC FLASH 256MBIT 16SOIC تحقيق
W25Q32FVDAIG TR IC FLASH 32M SPI 104MHZ 8DIP تحقيق
W25Q80EWSNIG IC FLASH 8M SPI 104MHZ 8SOIC تحقيق
W97AH6KBVX2E Image W97AH6KBVX2E IC DRAM 1G PARALLEL 134VFBGA تحقيق
W25Q80BVSSIG IC FLASH 8M SPI 104MHZ 8SOIC تحقيق
سجلات 1,271
سابق123456789101112131415التالينهاية