بطاقة خط

Winbond Electronics Corporation

Winbond Electronics Corporation

- شركة Winbond Electronics Corporation هي شركة تعمل في مجال الذاكرة IC تعمل في مجال التصميم والتصنيع وخدمة المبيعات لتوفير حلول الذاكرة عالية الجودة للعملاء العالميين. تشمل خطوط منتجات Winbond ذاكرة التخزين المؤقت للذاكرة ، و NAND Serial و Parallel NAND ، و DRAM الخاص و DRAM المحمول.
تستخدم منتجات Winbond على نطاق واسع من قبل الشركات في أسواق IoT العمودية مثل الحوسبة وأجهزة الوسائط المتعددة المتصلة والسيارات وأنظمة الشبكات والصناعية. تقدم شركة Winbond منتجات الفلاش والدرام ذات التصنيف الصناعي والعلوي مع دعم طويل العمر. لدى Winbond ما يقرب من 2200 موظف حول العالم ، والتي تشمل FAB 12 بوصة في مقرها الرئيسي في تايشونج ، تايوان.
صورة رقم القطعة وصف رأي
W25Q64CVZEIG IC FLASH 64M SPI 80MHZ 8WSON تحقيق
W25Q32FVXGJQ IC FLASH MEMORY 32MB تحقيق
W25Q256FVFIP IC FLASH 256M SPI 104MHZ 16SOIC تحقيق
W25Q257FVFIF IC FLASH 256M SPI 104MHZ 16SOIC تحقيق
W25Q32BVSFJG TR IC FLASH MEMORY 32MB تحقيق
W632GU6MB11I Image W632GU6MB11I IC DRAM 2G PARALLEL 933MHZ تحقيق
W632GU6KB-11 Image W632GU6KB-11 IC DRAM 2G PARALLEL 933MHZ تحقيق
W948D6FB2X5J IC SDRAM 256MBIT 65NM 60BGA تحقيق
W25Q16JLZPIG TR IC FLASH 16M SPI 104MHZ 8SWSON تحقيق
W25X10BVSNIG IC FLASH 1M SPI 104MHZ 8SOIC تحقيق
W25Q32BVSFJG IC FLASH MEMORY 32MB تحقيق
W25Q32BVTBJP TR IC FLASH MEMORY 32MB تحقيق
W25P16VSSIG T&R IC FLASH 16M SPI 50MHZ 8SOIC تحقيق
W25Q32FVTBIG TR Image W25Q32FVTBIG TR IC FLASH 32M SPI 104MHZ 24TFBGA تحقيق
W25Q80BWSVIG TR IC FLASH 8M SPI 80MHZ 8VSOP تحقيق
W25X40AVSNIG IC FLASH 4M SPI 100MHZ 8SOIC تحقيق
W25Q64FVSFJQ TR IC FLASH MEMORY 64MB تحقيق
W25Q128JVPIQ TR IC FLASH 128M SPI 133MHZ 8WSON تحقيق
W97AH6KBVX2E TR Image W97AH6KBVX2E TR IC DRAM 1G PARALLEL 134VFBGA تحقيق
W948D6FBHX5G IC SDRAM 256MBIT 65NM 60BGA تحقيق
W9712G6KB-25 TR Image W9712G6KB-25 TR IC DRAM 128M PARALLEL 84TFBGA تحقيق
W25Q64FWBYIG TR IC FLASH 64M SPI 104MHZ 16WLCSP تحقيق
W25Q32JVSFIQ IC FLASH 32M SPI 133MHZ 16SOIC تحقيق
W25Q16DWSSIG TR IC FLASH 16M SPI 104MHZ 8SOIC تحقيق
W25Q80BVZPIG TR IC FLASH 8M SPI 104MHZ 8WSON تحقيق
W94AD6KBHX5E Image W94AD6KBHX5E IC DRAM 1G PARALLEL 60VFBGA تحقيق
W25Q256FVFIF TR IC FLASH 256M SPI 104MHZ 16SOIC تحقيق
W9864G6KH-6I Image W9864G6KH-6I IC DRAM 64M PARALLEL 54TSOP تحقيق
W25Q32JWSSIQ IC FLASH 32M SPI 133MHZ 8SOIC تحقيق
W25Q32FVTCIG Image W25Q32FVTCIG IC FLASH 32M SPI 104MHZ 24TFBGA تحقيق
W25X40CLSSIG TR IC FLASH 4M SPI 104MHZ 8SOIC تحقيق
W948D6KBHX5E TR IC SDRAM 256MBIT 46NM 60BGA تحقيق
W25X80AVDAIZ IC FLASH 8M SPI 100MHZ 8DIP تحقيق
W25X32VSFIG T&R IC FLASH 32M SPI 75MHZ 16SOIC تحقيق
W25M02GVTBIT TR Image W25M02GVTBIT TR IC FLASH 2G SPI 104MHZ 24TFBGA تحقيق
W25Q32BVSFJP TR IC FLASH MEMORY 32MB تحقيق
W25Q80BLZPIG IC FLASH 8M SPI 80MHZ 8WSON تحقيق
W632GG8MB-12 Image W632GG8MB-12 IC DRAM 2G PARALLEL 78VFBGA تحقيق
W25Q64CVTBIP TR IC FLASH MEMORY 64MB تحقيق
W9464G6KH-4 Image W9464G6KH-4 IC DRAM 64M PARALLEL 66TSOP II تحقيق
W25X16VSFIG T&R IC FLASH 16M SPI 75MHZ 16SOIC تحقيق
W25P16VSSIG IC FLASH 16M SPI 50MHZ 8SOIC تحقيق
W948D6FBHX5J IC SDRAM 256MBIT 65NM 60BGA تحقيق
W25Q256FVCIP TR Image W25Q256FVCIP TR IC FLASH 256M SPI 24TFBGA تحقيق
W25Q64FVSFJQ IC FLASH MEMORY 64MB تحقيق
W25Q128BVBJP IC FLASH MEMORY 128MB تحقيق
W25Q16FWUUIQ TR Image W25Q16FWUUIQ TR IC FLASH 16M SPI 104MHZ 8USON تحقيق
W25Q40BWUXIE TR Image W25Q40BWUXIE TR IC FLASH 4M SPI 80MHZ 8USON تحقيق
W9725G8KB-25 TR Image W9725G8KB-25 TR IC DRAM 256M PARALLEL 60WBGA تحقيق
W632GG8AB-12 Image W632GG8AB-12 IC DRAM 2G PARALLEL 800MHZ تحقيق
سجلات 1,271