العربية
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Svenska Български език✕
معلومات عنا | اتصل بنا | اطلب اقتباس |
الصفحة الرئيسية > بطاقة خط > Winbond Electronics Corporation

بطاقة خط

Winbond Electronics Corporation

Winbond Electronics Corporation

- شركة Winbond Electronics Corporation هي شركة تعمل في مجال الذاكرة IC تعمل في مجال التصميم والتصنيع وخدمة المبيعات لتوفير حلول الذاكرة عالية الجودة للعملاء العالميين. تشمل خطوط منتجات Winbond ذاكرة التخزين المؤقت للذاكرة ، و NAND Serial و Parallel NAND ، و DRAM الخاص و DRAM المحمول.
تستخدم منتجات Winbond على نطاق واسع من قبل الشركات في أسواق IoT العمودية مثل الحوسبة وأجهزة الوسائط المتعددة المتصلة والسيارات وأنظمة الشبكات والصناعية. تقدم شركة Winbond منتجات الفلاش والدرام ذات التصنيف الصناعي والعلوي مع دعم طويل العمر. لدى Winbond ما يقرب من 2200 موظف حول العالم ، والتي تشمل FAB 12 بوصة في مقرها الرئيسي في تايشونج ، تايوان.
صورة رقم القطعة وصف رأي
W25Q64FVZPIG IC FLASH 64M SPI 104MHZ 8WSON تحقيق
W949D6DBHX5I TR Image W949D6DBHX5I TR IC DRAM 512M PARALLEL 60VFBGA تحقيق
W25Q32FWXGIG TR IC FLASH 32M SPI 104MHZ 8XSON تحقيق
W9812G2KB-6I TR Image W9812G2KB-6I TR IC DRAM 128M PARALLEL 90TFBGA تحقيق
W25Q64DWZPIG IC FLASH 64M SPI 104MHZ 8WSON تحقيق
W632GU8AB-11 IC DRAM 2G PARALLEL 933MHZ تحقيق
W25Q16FWSVIQ IC FLASH 16M SPI 104MHZ 8VSOP تحقيق
W949D6DBHX5I Image W949D6DBHX5I IC DRAM 512M PARALLEL 60VFBGA تحقيق
W25Q32FVSSIF IC FLASH 32M SPI 104MHZ 8SOIC تحقيق
W25P40VSNIG IC FLASH 4M SPI 40MHZ 8SOIC تحقيق
W25Q64FVZEIG TR IC FLASH 64M SPI 104MHZ 8WSON تحقيق
W25Q64JVSFIQ TR IC FLASH 64M SPI 133MHZ 16SOIC تحقيق
W25Q64FVSFIG IC FLASH 64M SPI 104MHZ 16SOIC تحقيق
W957D6HBCX7I TR Image W957D6HBCX7I TR IC PSRAM 128M PARALLEL 54VFBGA تحقيق
W631GU6KB15I Image W631GU6KB15I IC DRAM 1G PARALLEL 96WBGA تحقيق
W632GG8MB-11 Image W632GG8MB-11 IC DRAM 2G PARALLEL 933MHZ تحقيق
W632GG6KB12I TR Image W632GG6KB12I TR IC DRAM 2G PARALLEL 96WBGA تحقيق
W25Q32FWSTIG TR IC FLASH 32M SPI 104MHZ 8VSOP تحقيق
W25Q16CVSNJG IC FLASH MEMORY 16MB تحقيق
W97BH6KBVX2E Image W97BH6KBVX2E IC DRAM 2G PARALLEL 134VFBGA تحقيق
W9412G6JH-5I Image W9412G6JH-5I IC DRAM 128M PARALLEL 66TSOP II تحقيق
W949D2DBJX5I TR Image W949D2DBJX5I TR IC DRAM 512M PARALLEL 90VFBGA تحقيق
W25Q256JVCIM TR Image W25Q256JVCIM TR IC FLASH 256M SPI 24TFBGA تحقيق
W25Q128JVSIM TR IC FLASH 128M SPI 133MHZ 8SOIC تحقيق
W632GG8MB15I TR Image W632GG8MB15I TR IC DRAM 2G PARALLEL 667MHZ تحقيق
W25Q64FVSCA2 IC FLASH 64M SPI 104MHZ تحقيق
W632GG8KB-12 Image W632GG8KB-12 IC DRAM 2G PARALLEL 78WBGA تحقيق
W25Q64JVSFIQ IC FLASH 64M SPI 133MHZ 16SOIC تحقيق
W25Q64FVSSJF TR IC FLASH MEMORY 64MB تحقيق
W25Q256FVBIP Image W25Q256FVBIP IC FLASH 256M SPI 24TFBGA تحقيق
W98AD6KBGX6E IC MEMORY SDRAM 1GB 54VFBGA تحقيق
W972GG6JB-3 TR Image W972GG6JB-3 TR IC DRAM 2G PARALLEL 84WBGA تحقيق
W19B320ABT7H Image W19B320ABT7H IC FLASH 32M PARALLEL 48TSOP تحقيق
W25Q128FVFJP TR IC FLASH MEMORY 128MB تحقيق
W29GL256SL9C IC FLASH 256M PARALLEL 56TFBGA تحقيق
W631GU6KB11I IC SDRAM 1GBIT 96BGA تحقيق
W948D2FBJX5E Image W948D2FBJX5E IC DRAM 256M PARALLEL 90VFBGA تحقيق
W25Q64JVTCIQ Image W25Q64JVTCIQ IC FLASH 64M SPI 133MHZ 24TFBGA تحقيق
W29GL064CB7B Image W29GL064CB7B IC FLASH 64M PARALLEL 64LFBGA تحقيق
W25M512JVFIQ IC FLASH 512M SPI 104MHZ 16SOIC تحقيق
W9464G6JH-5 Image W9464G6JH-5 IC DRAM 64M PARALLEL 66TSOP II تحقيق
W631GU6KS-15 IC SDRAM 1GBIT 96BGA تحقيق
W25Q128BVFJP TR IC FLASH MEMORY 128MB تحقيق
W25Q64JVSFIM IC FLASH 64M SPI 133MHZ 16SOIC تحقيق
W9725G6KB-25 TR Image W9725G6KB-25 TR IC DRAM 256M PARALLEL 84WBGA تحقيق
W25Q32FVDAIQ TR IC FLASH 32M SPI 104MHZ 8DIP تحقيق
W971GG8JB25I Image W971GG8JB25I IC DRAM 1G PARALLEL 60WBGA تحقيق
W25Q128JVSIQ TR IC FLASH 128M SPI 133MHZ 8SOIC تحقيق
W631GG8KB-11 TR Image W631GG8KB-11 TR IC DRAM 1G PARALLEL 78WBGA تحقيق
W25Q128BVEIG IC FLASH 128M SPI 104MHZ 8WSON تحقيق
سجلات 1,271
سابق456789101112131415161718التالينهاية