العربية
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Svenska Български език✕
معلومات عنا | اتصل بنا | اطلب اقتباس |
الصفحة الرئيسية > بطاقة خط > Winbond Electronics Corporation

بطاقة خط

Winbond Electronics Corporation

Winbond Electronics Corporation

- شركة Winbond Electronics Corporation هي شركة تعمل في مجال الذاكرة IC تعمل في مجال التصميم والتصنيع وخدمة المبيعات لتوفير حلول الذاكرة عالية الجودة للعملاء العالميين. تشمل خطوط منتجات Winbond ذاكرة التخزين المؤقت للذاكرة ، و NAND Serial و Parallel NAND ، و DRAM الخاص و DRAM المحمول.
تستخدم منتجات Winbond على نطاق واسع من قبل الشركات في أسواق IoT العمودية مثل الحوسبة وأجهزة الوسائط المتعددة المتصلة والسيارات وأنظمة الشبكات والصناعية. تقدم شركة Winbond منتجات الفلاش والدرام ذات التصنيف الصناعي والعلوي مع دعم طويل العمر. لدى Winbond ما يقرب من 2200 موظف حول العالم ، والتي تشمل FAB 12 بوصة في مقرها الرئيسي في تايشونج ، تايوان.
صورة رقم القطعة وصف رأي
W947D2HBJX6E TR Image W947D2HBJX6E TR IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA تحقيق
W25Q128FVSJP IC FLASH MEMORY 128MB تحقيق
W25Q128JVBIM Image W25Q128JVBIM IC FLASH 128M SPI 24TFBGA تحقيق
W9864G2JB-6 TR Image W9864G2JB-6 TR IC DRAM 64M PARALLEL 90TFBGA تحقيق
W25Q16BVZPIG TR IC FLASH 16M SPI 104MHZ 8WSON تحقيق
W631GG6KB15I TR Image W631GG6KB15I TR IC DRAM 1G PARALLEL 96WBGA تحقيق
W25Q16FWSNIQ TR IC FLASH 16M SPI 104MHZ 8SOIC تحقيق
W98AD6KBGX6I 1GB MSDR X16 166MHZ IND تحقيق
W9825G2JB-75 Image W9825G2JB-75 IC DRAM 256M PARALLEL 90TFBGA تحقيق
W25Q128FVFJQ IC FLASH MEMORY 128MB تحقيق
W98AD2KBJX6I TR 1GB MSDR X32 166MHZ IND تحقيق
W25Q64FVSH03 IC FLASH 64M SPI 104MHZ تحقيق
W25Q128FWFIG TR IC FLASH 128M SPI 104MHZ 16SOIC تحقيق
W9816G6JH-6 Image W9816G6JH-6 IC DRAM 16M PARALLEL 50TSOP II تحقيق
W631GU6KB12I TR Image W631GU6KB12I TR IC DRAM 1G PARALLEL 96WBGA تحقيق
W25Q64JVTCIQ TR Image W25Q64JVTCIQ TR IC FLASH 64M SPI 133MHZ 24TFBGA تحقيق
W25Q32FVZPJQ TR IC FLASH MEMORY 32MB تحقيق
W25Q64JVZPIQ TR IC FLASH 64M SPI 133MHZ 8WSON تحقيق
W25Q64CVSSJG IC FLASH MEMORY 64MB تحقيق
W29N01GZDIBA Image W29N01GZDIBA IC FLASH 1G PARALLEL 48VFBGA تحقيق
W971GG8SB25I Image W971GG8SB25I IC DRAM 1G PARALLEL 60WBGA تحقيق
W25Q32JVDAIQ TR IC FLASH 32M SPI 133MHZ 8DIP تحقيق
W25Q128JVCIM TR Image W25Q128JVCIM TR IC FLASH 128M SPI 24TFBGA تحقيق
W25Q256FVFIQ IC FLASH 256M SPI 104MHZ 16SOIC تحقيق
W987D2HBJX7E TR Image W987D2HBJX7E TR IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA تحقيق
W632GG6KB-15 Image W632GG6KB-15 IC DRAM 2G PARALLEL 96WBGA تحقيق
W25Q80DVUXIE TR Image W25Q80DVUXIE TR IC FLASH 8M SPI 104MHZ 8USON تحقيق
W25Q32BVTBJG IC FLASH MEMORY 32MB تحقيق
W25Q256FVCJQ IC FLASH MEMORY 256MB تحقيق
W25Q128BVBJG IC FLASH MEMORY 128MB تحقيق
W25X80VDAIZ IC FLASH 8M SPI 75MHZ 8DIP تحقيق
W25Q80BWSVIG IC FLASH 8M SPI 80MHZ 8VSOP تحقيق
W25Q64FVZEJQ TR IC FLASH MEMORY 64MB تحقيق
W25Q32FVSFJQ IC FLASH MEMORY 32MB تحقيق
W25Q256JVCIQ TR Image W25Q256JVCIQ TR IC FLASH 256M SPI 24TFBGA تحقيق
W25Q256FVEIP IC FLASH 256M SPI 104MHZ 8WSON تحقيق
W25Q128JVAIQ TR IC FLASH 128M SPI 133MHZ 8DIP تحقيق
W632GG8KB-09 Image W632GG8KB-09 IC DRAM 2G PARALLEL 1066MHZ تحقيق
W632GG6MB-15 Image W632GG6MB-15 IC DRAM 2G PARALLEL 667MHZ تحقيق
W9751G6KB-25 Image W9751G6KB-25 IC DRAM 512M PARALLEL 84WBGA تحقيق
W25Q32BVZPJP TR IC FLASH MEMORY 32MB تحقيق
W25Q80BLSNIG TR IC FLASH 8M SPI 80MHZ 8SOIC تحقيق
W25Q32FWBYIG TR IC FLASH 32M SPI 104MHZ 12WLCSP تحقيق
W631GG8MB-11 TR IC SDRAM 1GBIT 933MHZ 78BGA تحقيق
W631GU6KB-11 TR IC SDRAM 1GBIT 96BGA تحقيق
W29GL512PH9B TR Image W29GL512PH9B TR IC FLASH 512M PARALLEL 64LFBGA تحقيق
W25X20CLZPIG IC FLASH 2M SPI 104MHZ 8WSON تحقيق
W25X10VSNIG IC FLASH 1M SPI 75MHZ 8SOIC تحقيق
W972GG8JB-3 TR IC DRAM 2G PARALLEL 60WBGA تحقيق
W25X40CLZPIG TR IC FLASH 4M SPI 104MHZ 8WSON تحقيق
سجلات 1,271
سابق5678910111213141516171819التالينهاية