العربية
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Svenska Български език✕
معلومات عنا | اتصل بنا | اطلب اقتباس |
الصفحة الرئيسية > بطاقة خط > Winbond Electronics Corporation

بطاقة خط

Winbond Electronics Corporation

Winbond Electronics Corporation

- شركة Winbond Electronics Corporation هي شركة تعمل في مجال الذاكرة IC تعمل في مجال التصميم والتصنيع وخدمة المبيعات لتوفير حلول الذاكرة عالية الجودة للعملاء العالميين. تشمل خطوط منتجات Winbond ذاكرة التخزين المؤقت للذاكرة ، و NAND Serial و Parallel NAND ، و DRAM الخاص و DRAM المحمول.
تستخدم منتجات Winbond على نطاق واسع من قبل الشركات في أسواق IoT العمودية مثل الحوسبة وأجهزة الوسائط المتعددة المتصلة والسيارات وأنظمة الشبكات والصناعية. تقدم شركة Winbond منتجات الفلاش والدرام ذات التصنيف الصناعي والعلوي مع دعم طويل العمر. لدى Winbond ما يقرب من 2200 موظف حول العالم ، والتي تشمل FAB 12 بوصة في مقرها الرئيسي في تايشونج ، تايوان.
صورة رقم القطعة وصف رأي
W29GL512SH9T Image W29GL512SH9T IC FLASH 512M PARALLEL 56TSOP تحقيق
W632GG6MB12I Image W632GG6MB12I IC DRAM 2G PARALLEL 800MHZ تحقيق
W25Q40EWSNIG TR IC FLASH 4M SPI 104MHZ 8SOIC تحقيق
W9864G2JB-6I TR Image W9864G2JB-6I TR IC DRAM 64M PARALLEL 90TFBGA تحقيق
W631GU6KB-15 TR Image W631GU6KB-15 TR IC DRAM 1G PARALLEL 96WBGA تحقيق
W9812G6JB-6 Image W9812G6JB-6 IC DRAM 128M PARALLEL 54TFBGA تحقيق
W9464G6KH-5 Image W9464G6KH-5 IC DRAM 64M PARALLEL 66TSOP II تحقيق
W632GG8AB-11 Image W632GG8AB-11 IC DRAM 2G PARALLEL 933MHZ تحقيق
W25Q16DWSNIG TR IC FLASH 16M SPI 104MHZ 8SOIC تحقيق
W25Q64FVSSJQ IC FLASH MEMORY 64MB تحقيق
W98AD2KBJX6E TR 1GB MSDR X32 166MHZ تحقيق
W25Q64FVTBJQ TR IC FLASH MEMORY 64MB تحقيق
W25X32VSSIG IC FLASH 32M SPI 75MHZ 8SOIC تحقيق
W632GG6MB15I TR Image W632GG6MB15I TR IC DRAM 2G PARALLEL 667MHZ تحقيق
W632GG8MB-11 TR Image W632GG8MB-11 TR IC DRAM 2G PARALLEL 933MHZ تحقيق
W25Q64DWZEIG IC FLASH 64M SPI 104MHZ 8WSON تحقيق
W25M512JVCIQ TR Image W25M512JVCIQ TR IC FLASH 512M SPI 24TFBGA تحقيق
W29N01HVDINA Image W29N01HVDINA IC FLASH 1G PARALLEL 48VFBGA تحقيق
W9751G6KB-18 TR Image W9751G6KB-18 TR IC DRAM 512M PARALLEL 84WBGA تحقيق
W9725G6JB25I Image W9725G6JB25I IC DRAM 256M PARALLEL 84WBGA تحقيق
W25Q128FWEIG TR IC FLASH 128M SPI 104MHZ 8WSON تحقيق
W29N04GWBIBA Image W29N04GWBIBA IC FLASH 4G PARALLEL 63VFBGA تحقيق
W632GG6KB15I Image W632GG6KB15I IC DRAM 2G PARALLEL 96WBGA تحقيق
W25Q32FVSFIG TR IC FLASH 32M SPI 104MHZ 16SOIC تحقيق
W25Q16JLZPIG IC FLASH 16M SPI 104MHZ 8SWSON تحقيق
W25P40VSNIG T&R IC FLASH 4M SPI 40MHZ 8SOIC تحقيق
W25Q32FVSFJQ TR IC FLASH MEMORY 32MB تحقيق
W97BH2KBQX2I IC DRAM 2G PARALLEL 168WFBGA تحقيق
W25Q256FVFJF TR IC FLASH MEMORY 256MB تحقيق
W25Q256FVBIP TR Image W25Q256FVBIP TR IC FLASH 256M SPI 24TFBGA تحقيق
W631GG8MB-12 Image W631GG8MB-12 IC SDRAM 1GBIT 800MHZ 78BGA تحقيق
W25Q80DVSSIG TR IC FLASH 8M SPI 104MHZ 8SOIC تحقيق
W25X20AVSNIG IC FLASH 2M SPI 100MHZ 8SOIC تحقيق
W987D6HBGX6E TR Image W987D6HBGX6E TR IC DRAM 128M PARALLEL 54VFBGA تحقيق
W9816G6IB-6 Image W9816G6IB-6 IC DRAM 16M PARALLEL 60VFBGA تحقيق
W631GU8KB15I TR Image W631GU8KB15I TR IC DRAM 1G PARALLEL 78WBGA تحقيق
W9825G6JB-6 Image W9825G6JB-6 IC DRAM 256M PARALLEL 54TFBGA تحقيق
W29GL128CL9T Image W29GL128CL9T IC FLASH 128M PARALLEL 56TSOP تحقيق
W25Q80DLSVIG IC FLASH 8M SPI 104MHZ 8VSOP تحقيق
W25Q16CVZPJG TR IC FLASH MEMORY 16MB تحقيق
W9725G6KB25I TR Image W9725G6KB25I TR IC DRAM 256M PARALLEL 84WBGA تحقيق
W25Q64JVDAIQ TR IC FLASH 64M SPI 133MHZ 8DIP تحقيق
W972GG8JB-25 IC DRAM 2G PARALLEL 60WBGA تحقيق
W631GG6MB12J IC SDRAM 1GBIT 800MHZ 96BGA تحقيق
W968D6DAGX7I TR Image W968D6DAGX7I TR IC PSRAM 256M PARALLEL 54VFBGA تحقيق
W972GG6JB-18 TR Image W972GG6JB-18 TR IC DRAM 2G PARALLEL 84WBGA تحقيق
W25Q64CVSFJG TR IC FLASH MEMORY 64MB تحقيق
W25Q80BLSVIG IC FLASH 8M SPI 80MHZ 8VSOP تحقيق
W29GL128CH9B Image W29GL128CH9B IC FLASH 128M PARALLEL 64LFBGA تحقيق
W9864G2JH-6 TR IC DRAM 64M PARALLEL 86TSOP II تحقيق
سجلات 1,271
سابق34567891011121314151617التالينهاية