بطاقة خط

Winbond Electronics Corporation

- شركة Winbond Electronics Corporation هي شركة تعمل في مجال الذاكرة IC تعمل في مجال التصميم والتصنيع وخدمة المبيعات لتوفير حلول الذاكرة عالية الجودة للعملاء العالميين. تشمل خطوط منتجات Winbond ذاكرة التخزين المؤقت للذاكرة ، و NAND Serial و Parallel NAND ، و DRAM الخاص و DRAM المحمول.
تستخدم منتجات Winbond على نطاق واسع من قبل الشركات في أسواق IoT العمودية مثل الحوسبة وأجهزة الوسائط المتعددة المتصلة والسيارات وأنظمة الشبكات والصناعية. تقدم شركة Winbond منتجات الفلاش والدرام ذات التصنيف الصناعي والعلوي مع دعم طويل العمر. لدى Winbond ما يقرب من 2200 موظف حول العالم ، والتي تشمل FAB 12 بوصة في مقرها الرئيسي في تايشونج ، تايوان.

رقم القطعة	وصف	رأي
W972GG8JB-18 TR	IC DRAM 2G PARALLEL 60WBGA	تحقيق
W988D6FBGX6E TR	IC DRAM 256M PARALLEL 54VFBGA	تحقيق
W25Q128JVFIM	IC FLASH 128M SPI 133MHZ 16SOIC	تحقيق
W25Q128BVBJP TR	IC FLASH MEMORY 128MB	تحقيق
W9425G6JB-5I TR	IC DRAM 256M PARALLEL 60TFBGA	تحقيق
W25X80VSFIG	IC FLASH 8M SPI 75MHZ 16SOIC	تحقيق
W29GL256SH9T	IC FLASH 256M PARALLEL 56TSOP	تحقيق
W25Q64FWSFIG TR	IC FLASH 64M SPI 104MHZ 16SOIC	تحقيق
W25Q32FVSFIQ	IC FLASH 32M SPI 104MHZ 16SOIC	تحقيق
W25Q80BWBYIG TR	IC FLASH 8M SPI 80MHZ 8WLCSP	تحقيق
W9864G6KH-5	IC DRAM 64M PARALLEL 54TSOP	تحقيق
W972GG8JB-3I TR	IC DRAM 2G PARALLEL 60WBGA	تحقيق
W25Q16FWSVIQ TR	IC FLASH 16M SPI 104MHZ 8VSOP	تحقيق
W29GL256PH9B TR	IC FLASH 256M PARALLEL 64LFBGA	تحقيق
W632GG8MB12I TR	IC DRAM 2G PARALLEL 800MHZ	تحقيق
W25Q32FWZPIG TR	IC FLASH 32M SPI 104MHZ 8WSON	تحقيق
W25Q80DVSVIG TR	IC FLASH 8M SPI 104MHZ 8VSOP	تحقيق
W632GU6MB-15	IC DRAM 2G PARALLEL 667MHZ	تحقيق
W25Q32BVSSIG	IC FLASH 32M SPI 104MHZ 8SOIC	تحقيق
W25Q64JVZEIM	IC FLASH 64M SPI 133MHZ 8WSON	تحقيق
W631GU6MB-12 TR	IC SDRAM 1GBIT 800MHZ 96BGA	تحقيق
W632GU6AB-11	IC DRAM 2G PARALLEL 933MHZ	تحقيق
W25Q128FVSIF TR	IC FLASH 128M SPI 104MHZ 8SOIC	تحقيق
W25Q16FWSSIQ TR	IC FLASH 16M SPI 104MHZ 8SOIC	تحقيق
W25X40CVSSIG	IC FLASH 4M SPI 104MHZ 8SOIC	تحقيق
W25Q80DVZPIG TR	IC FLASH 8M SPI 104MHZ 8WSON	تحقيق
W978H2KBVX2I	IC DRAM 256M PARALLEL 134VFBGA	تحقيق
W25Q32BVZPJG TR	IC FLASH MEMORY 32MB	تحقيق
W25Q128FVPIF	IC FLASH 128M SPI 104MHZ 8WSON	تحقيق
W979H6KBVX2E	IC DRAM 512M PARALLEL 134VFBGA	تحقيق
W29GL128CL9B	IC FLASH 128M PARALLEL 64LFBGA	تحقيق
W25Q16DVZPIG TR	IC FLASH 16M SPI 104MHZ 8WSON	تحقيق
W25Q128FVEJQ TR	IC FLASH MEMORY 128MB	تحقيق
W9725G6KB-18 TR	IC DRAM 256M PARALLEL 84WBGA	تحقيق
W97AH2KBVX2I	IC DRAM 1G PARALLEL 134VFBGA	تحقيق
W25Q32BVZPIG	IC FLASH 32M SPI 104MHZ 8WSON	تحقيق
W29N01HVSINF	IC FLASH 1G PARALLEL 48TSOP	تحقيق
W631GU8MB-15 TR	IC SDRAM 1GBIT 667MHZ 78BGA	تحقيق
W25Q32FVSSIP TR	IC FLASH 32M SPI 104MHZ 8SOIC	تحقيق
W25Q64CVTBIP	IC FLASH MEMORY 64MB	تحقيق
W29GL128CL9T TR	IC FLASH 128M PARALLEL 56TSOP	تحقيق
W632GU8AB-15	IC DRAM 2G PARALLEL 667MHZ	تحقيق
W29GL256PL9B TR	IC FLASH 256M PARALLEL 64LFBGA	تحقيق
W25Q16BVSFIG	IC FLASH 16M SPI 104MHZ 16SOIC	تحقيق
W25Q128BVBJG TR	IC FLASH MEMORY 128MB	تحقيق
W25Q128JVPIM	IC FLASH 128M SPI 133MHZ 8WSON	تحقيق
W989D6DBGX6I TR	IC DRAM 512M PARALLEL 54VFBGA	تحقيق
W9725G8KB25I	IC DRAM 256M PARALLEL 60WBGA	تحقيق
W25X40AVDAIZ	IC FLASH 4M SPI 100MHZ 8DIP	تحقيق
W25Q64FVSTIG	IC FLASH 64M SPI 104MHZ 8VSOP	تحقيق

سجلات 1,271

الصفحة الحالية:10/26سابق 2 3 4 5 6 7 8 91011 12 13 14 15 16 التالي نهاية