العربية
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Svenska Български език✕
معلومات عنا | اتصل بنا | اطلب اقتباس |
الصفحة الرئيسية > بطاقة خط > Winbond Electronics Corporation

بطاقة خط

Winbond Electronics Corporation

Winbond Electronics Corporation

- شركة Winbond Electronics Corporation هي شركة تعمل في مجال الذاكرة IC تعمل في مجال التصميم والتصنيع وخدمة المبيعات لتوفير حلول الذاكرة عالية الجودة للعملاء العالميين. تشمل خطوط منتجات Winbond ذاكرة التخزين المؤقت للذاكرة ، و NAND Serial و Parallel NAND ، و DRAM الخاص و DRAM المحمول.
تستخدم منتجات Winbond على نطاق واسع من قبل الشركات في أسواق IoT العمودية مثل الحوسبة وأجهزة الوسائط المتعددة المتصلة والسيارات وأنظمة الشبكات والصناعية. تقدم شركة Winbond منتجات الفلاش والدرام ذات التصنيف الصناعي والعلوي مع دعم طويل العمر. لدى Winbond ما يقرب من 2200 موظف حول العالم ، والتي تشمل FAB 12 بوصة في مقرها الرئيسي في تايشونج ، تايوان.
صورة رقم القطعة وصف رأي
W25X40VSNIG IC FLASH 4M SPI 75MHZ 8SOIC تحقيق
W632GG6AB-15 IC DRAM 2G PARALLEL 667MHZ تحقيق
W9425G6KH-5 TR Image W9425G6KH-5 TR IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP II تحقيق
W9825G2JB-6 Image W9825G2JB-6 IC DRAM 256M PARALLEL 90TFBGA تحقيق
W25Q32FWSSIG TR IC FLASH 32M SPI 104MHZ 8SOIC تحقيق
W25Q32FWSTIG IC FLASH 32M SPI 104MHZ 8VSOP تحقيق
W25X16AVSFIG IC FLASH 16M SPI 75MHZ 16SOIC تحقيق
W25Q128BVEJG IC FLASH MEMORY 128MB تحقيق
W25Q80DVSNIG IC FLASH 8M SPI 104MHZ 8SOIC تحقيق
W97AH6KBVX2I Image W97AH6KBVX2I IC DRAM 1G PARALLEL 134VFBGA تحقيق
W25X80AVZPIG IC FLASH 8M SPI 100MHZ 8WSON تحقيق
W25Q256JVBIQ TR Image W25Q256JVBIQ TR IC FLASH 256M SPI 24TFBGA تحقيق
W29GL256SH9B TR Image W29GL256SH9B TR IC FLASH 256M PARALLEL 64LFBGA تحقيق
W25Q32FVZPIQ IC FLASH 32M SPI 104MHZ 8WSON تحقيق
W631GU6KB-12 TR Image W631GU6KB-12 TR IC DRAM 1G PARALLEL 96WBGA تحقيق
W25Q80BWSSIG TR IC FLASH 8M SPI 80MHZ 8SOIC تحقيق
W25Q32BVSSJG IC FLASH MEMORY 32MB تحقيق
W25B40AVSNIG T&R IC FLASH 4M SPI 40MHZ 8SOIC تحقيق
W631GG8KB-15 TR Image W631GG8KB-15 TR IC DRAM 1G PARALLEL 78WBGA تحقيق
W9812G6JB-6I Image W9812G6JB-6I IC DRAM 128M PARALLEL 54TFBGA تحقيق
W25Q16FWBYIG TR IC FLASH 16M SPI 104MHZ 8WLCSP تحقيق
W947D2HBJX5E Image W947D2HBJX5E IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA تحقيق
W25Q32FVTBJQ TR IC FLASH MEMORY 32MB تحقيق
W29N02GVSIAF Image W29N02GVSIAF IC FLASH 2G PARALLEL 48TSOP تحقيق
W972GG8JB-3 IC DRAM 2G PARALLEL 60WBGA تحقيق
W25Q128FVEIP IC FLASH 128M SPI 104MHZ 8WSON تحقيق
W25Q64CVZEJP TR IC FLASH MEMORY 64MB تحقيق
W632GU6KB12I TR Image W632GU6KB12I TR IC DRAM 2G PARALLEL 96WBGA تحقيق
W25X20VZPIG T&R IC FLASH 2M SPI 75MHZ 8WSON تحقيق
W98AD6KBGX6E TR 1GB MSDR X16 166MHZ تحقيق
W25Q64FVTBJQ IC FLASH MEMORY 64MB تحقيق
W25Q20EWUXIE TR Image W25Q20EWUXIE TR IC FLASH 2M SPI 104MHZ 8USON تحقيق
W29GL064CB7S Image W29GL064CB7S IC FLASH 64M PARALLEL 48TSOP تحقيق
W25Q32JVSTIQ IC FLASH 32M SPI 133MHZ 8VSOP تحقيق
W9812G6KH-5 TR Image W9812G6KH-5 TR IC DRAM 128M PARALLEL 54TSOP تحقيق
W9825G2JB-75 TR Image W9825G2JB-75 TR IC DRAM 256M PARALLEL 90TFBGA تحقيق
W631GG8KB-11 Image W631GG8KB-11 IC DRAM 1G PARALLEL 78WBGA تحقيق
W25Q128FVEIG IC FLASH 128M SPI 104MHZ 8WSON تحقيق
W19B320ATB7H IC FLASH 32M PARALLEL 48TFBGA تحقيق
W25Q32FVZPJF TR IC FLASH MEMORY 32MB تحقيق
W631GG6KS12I IC SDRAM 1GBIT 96BGA تحقيق
W25Q64JVSSIQ IC FLASH 64M SPI 133MHZ 8SOIC تحقيق
W29GL128PH9T IC FLASH 128M PARALLEL 56TSOP تحقيق
W25X40CLSNIG IC FLASH 4M SPI 104MHZ 8SOIC تحقيق
W25Q128JVEIM IC FLASH 128M SPI 133MHZ 8WSON تحقيق
W25Q16VSSIG IC FLASH 16M SPI 80MHZ 8SOIC تحقيق
W971GG6SB25I Image W971GG6SB25I IC DRAM 1G PARALLEL 84WBGA تحقيق
W631GG6MB11I TR IC SDRAM 1GBIT 933MHZ 96WBGA تحقيق
W25Q256JVFIM TR IC FLASH 256M SPI 133MHZ 16SOIC تحقيق
W25Q64FVTCJQ IC FLASH MEMORY 64MB تحقيق
سجلات 1,271
سابق123456789101112131415التالينهاية