العربية
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Svenska Български език✕
معلومات عنا | اتصل بنا | اطلب اقتباس |
الصفحة الرئيسية > بطاقة خط > Winbond Electronics Corporation

بطاقة خط

Winbond Electronics Corporation

Winbond Electronics Corporation

- شركة Winbond Electronics Corporation هي شركة تعمل في مجال الذاكرة IC تعمل في مجال التصميم والتصنيع وخدمة المبيعات لتوفير حلول الذاكرة عالية الجودة للعملاء العالميين. تشمل خطوط منتجات Winbond ذاكرة التخزين المؤقت للذاكرة ، و NAND Serial و Parallel NAND ، و DRAM الخاص و DRAM المحمول.
تستخدم منتجات Winbond على نطاق واسع من قبل الشركات في أسواق IoT العمودية مثل الحوسبة وأجهزة الوسائط المتعددة المتصلة والسيارات وأنظمة الشبكات والصناعية. تقدم شركة Winbond منتجات الفلاش والدرام ذات التصنيف الصناعي والعلوي مع دعم طويل العمر. لدى Winbond ما يقرب من 2200 موظف حول العالم ، والتي تشمل FAB 12 بوصة في مقرها الرئيسي في تايشونج ، تايوان.
صورة رقم القطعة وصف رأي
W25Q80EWZPIG IC FLASH 8M SPI 104MHZ 8WSON تحقيق
W25X20VSNIG T&R IC FLASH 2M SPI 75MHZ 8SOIC تحقيق
W631GG6KB12I TR Image W631GG6KB12I TR IC DRAM 1G PARALLEL 96WBGA تحقيق
W29GL128PH9B TR IC FLASH 128M PARALLEL 64LFBGA تحقيق
W25Q64FVZPIQ IC FLASH 64M SPI 104MHZ 8WSON تحقيق
W25Q64DWSSIG IC FLASH 64M SPI 104MHZ 8SOIC تحقيق
W39V040FAPZ IC FLASH 4M PARALLEL 32PLCC تحقيق
W25Q40CLSSIG TR IC FLASH 4M SPI 104MHZ 8SOIC تحقيق
W631GG6KB15J IC SDRAM 1GBIT 96BGA تحقيق
W25Q32JVZPIQ TR IC FLASH 32M SPI 133MHZ 8WSON تحقيق
W631GG6MB-15 Image W631GG6MB-15 IC SDRAM 1GBIT 667MHZ 96BGA تحقيق
W25Q32JVZPIQ IC FLASH 32M SPI 133MHZ 8WSON تحقيق
W632GU8MB-15 Image W632GU8MB-15 IC DRAM 2G PARALLEL 667MHZ تحقيق
W29GL256SH9B Image W29GL256SH9B IC FLASH 256M PARALLEL 64LFBGA تحقيق
W9825G2JB-6 TR Image W9825G2JB-6 TR IC DRAM 256M PARALLEL 90TFBGA تحقيق
W25Q40EWSSIG TR IC FLASH 4M SPI 104MHZ 8SOIC تحقيق
W971GG8SB-25 Image W971GG8SB-25 IC DRAM 1G PARALLEL 60WBGA تحقيق
W632GG8KB15I Image W632GG8KB15I IC DRAM 2G PARALLEL 78WBGA تحقيق
W971GG6KB25I TR Image W971GG6KB25I TR IC DRAM 1G PARALLEL 84WBGA تحقيق
W25Q40BWSNIG TR IC FLASH 4M SPI 80MHZ 8SOIC تحقيق
W632GG6MB15I Image W632GG6MB15I IC DRAM 2G PARALLEL 667MHZ تحقيق
W25Q16DVZPIQ IC FLASH 16M SPI 104MHZ 8WSON تحقيق
W9864G6KH-5 TR Image W9864G6KH-5 TR IC DRAM 64M PARALLEL 54TSOP تحقيق
W29GL128PH9T TR IC FLASH 128M PARALLEL 56TSOP تحقيق
W25Q32FWSSIQ TR IC FLASH 32M SPI 104MHZ 8SOIC تحقيق
W25Q80DVZPIG IC FLASH 8M SPI 104MHZ 8WSON تحقيق
W971GG8SB25I TR Image W971GG8SB25I TR IC DRAM 1G PARALLEL 60WBGA تحقيق
W25Q64FVSF00 IC FLASH 64M SPI 104MHZ 16SOIC تحقيق
W971GG6KB-18 TR Image W971GG6KB-18 TR IC DRAM 1G PARALLEL 84WBGA تحقيق
W25N01GVZEIT TR IC FLASH 1G SPI 104MHZ 8WSON تحقيق
W632GU6KB11I Image W632GU6KB11I IC DRAM 2G PARALLEL 933MHZ تحقيق
W24257S-70LL T/R Image W24257S-70LL T/R IC SRAM 256K PARALLEL 28SO تحقيق
W25Q16DVSSJP IC FLASH MEMORY 16MB تحقيق
W25Q128FVEIQ IC FLASH 128M SPI 104MHZ 8WSON تحقيق
W25Q128FVPIQ IC FLASH 128M SPI 104MHZ 8WSON تحقيق
W9864G6JT-6 Image W9864G6JT-6 IC DRAM 64M PARALLEL 54TFBGA تحقيق
W25Q64CVTBIG TR IC FLASH MEMORY 64MB تحقيق
W9464G6KH-5 TR Image W9464G6KH-5 TR IC DRAM 64M PARALLEL 66TSOP II تحقيق
W9825G6KH-6I TR Image W9825G6KH-6I TR IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP تحقيق
W988D2FBJX6I Image W988D2FBJX6I IC DRAM 256M PARALLEL 90VFBGA تحقيق
W25Q32FWBYIQ TR IC FLASH 32M SPI 104MHZ 12WLCSP تحقيق
W25Q32FWSFIG IC FLASH 32M SPI 104MHZ 16SOIC تحقيق
W25Q64JVZEIQ TR IC FLASH 64M SPI 133MHZ 8WSON تحقيق
W25Q40BWSVIG TR IC FLASH 4M SPI 80MHZ 8VSOP تحقيق
W632GU6AB-12 IC DRAM 2G PARALLEL 800MHZ تحقيق
W949D6DBHX5E Image W949D6DBHX5E IC DRAM 512M PARALLEL 60VFBGA تحقيق
W9425G6JB-5 Image W9425G6JB-5 IC DRAM 256M PARALLEL 60TFBGA تحقيق
W94AD2KBJX5E Image W94AD2KBJX5E IC DRAM 1G PARALLEL 90VFBGA تحقيق
W29GL032CB7B Image W29GL032CB7B IC FLASH 32M PARALLEL 64LFBGA تحقيق
W29GL256SL9T Image W29GL256SL9T IC FLASH 256M PARALLEL 56TSOP تحقيق
سجلات 1,271
سابق123456789101112131415التالينهاية