Kartu garis

Winbond Electronics Corporation

Winbond Electronics Corporation

- Winbond Electronics Corporation adalah perusahaan IC memori yang bergerak di bidang desain, manufaktur, dan layanan penjualan untuk memberikan solusi memori kualitas terbaik kepada pelanggan globalnya. Lini produk Winbond termasuk Memori Flash Penyimpanan Kode, NAND Serial dan Paralel, DRAM Khusus, dan DRAM Seluler.
Produk Winbond banyak digunakan oleh perusahaan di pasar vertikal IoT seperti komputasi, perangkat multimedia yang terhubung, mobil, sistem jaringan dan industri. Winbond menawarkan produk Flash dan DRAM kelas Industri otomotif dan Industrial dengan dukungan jangka panjang. Winbond memiliki sekitar 2.200 karyawan di seluruh dunia, yang mencakup FAB 12 inci di kantor pusatnya di Taichung, Taiwan.
Gambar Nomor bagian Deskripsi Melihat
W25Q64FVZPIG IC FLASH 64M SPI 104MHZ 8WSON Penyelidikan
W949D6DBHX5I TR Image W949D6DBHX5I TR IC DRAM 512M PARALLEL 60VFBGA Penyelidikan
W25Q32FWXGIG TR IC FLASH 32M SPI 104MHZ 8XSON Penyelidikan
W9812G2KB-6I TR Image W9812G2KB-6I TR IC DRAM 128M PARALLEL 90TFBGA Penyelidikan
W25Q64DWZPIG IC FLASH 64M SPI 104MHZ 8WSON Penyelidikan
W632GU8AB-11 IC DRAM 2G PARALLEL 933MHZ Penyelidikan
W25Q16FWSVIQ IC FLASH 16M SPI 104MHZ 8VSOP Penyelidikan
W949D6DBHX5I Image W949D6DBHX5I IC DRAM 512M PARALLEL 60VFBGA Penyelidikan
W25Q32FVSSIF IC FLASH 32M SPI 104MHZ 8SOIC Penyelidikan
W25P40VSNIG IC FLASH 4M SPI 40MHZ 8SOIC Penyelidikan
W25Q64FVZEIG TR IC FLASH 64M SPI 104MHZ 8WSON Penyelidikan
W25Q64JVSFIQ TR IC FLASH 64M SPI 133MHZ 16SOIC Penyelidikan
W25Q64FVSFIG IC FLASH 64M SPI 104MHZ 16SOIC Penyelidikan
W957D6HBCX7I TR Image W957D6HBCX7I TR IC PSRAM 128M PARALLEL 54VFBGA Penyelidikan
W631GU6KB15I Image W631GU6KB15I IC DRAM 1G PARALLEL 96WBGA Penyelidikan
W632GG8MB-11 Image W632GG8MB-11 IC DRAM 2G PARALLEL 933MHZ Penyelidikan
W632GG6KB12I TR Image W632GG6KB12I TR IC DRAM 2G PARALLEL 96WBGA Penyelidikan
W25Q32FWSTIG TR IC FLASH 32M SPI 104MHZ 8VSOP Penyelidikan
W25Q16CVSNJG IC FLASH MEMORY 16MB Penyelidikan
W97BH6KBVX2E Image W97BH6KBVX2E IC DRAM 2G PARALLEL 134VFBGA Penyelidikan
W9412G6JH-5I Image W9412G6JH-5I IC DRAM 128M PARALLEL 66TSOP II Penyelidikan
W949D2DBJX5I TR Image W949D2DBJX5I TR IC DRAM 512M PARALLEL 90VFBGA Penyelidikan
W25Q256JVCIM TR Image W25Q256JVCIM TR IC FLASH 256M SPI 24TFBGA Penyelidikan
W25Q128JVSIM TR IC FLASH 128M SPI 133MHZ 8SOIC Penyelidikan
W632GG8MB15I TR Image W632GG8MB15I TR IC DRAM 2G PARALLEL 667MHZ Penyelidikan
W25Q64FVSCA2 IC FLASH 64M SPI 104MHZ Penyelidikan
W632GG8KB-12 Image W632GG8KB-12 IC DRAM 2G PARALLEL 78WBGA Penyelidikan
W25Q64JVSFIQ IC FLASH 64M SPI 133MHZ 16SOIC Penyelidikan
W25Q64FVSSJF TR IC FLASH MEMORY 64MB Penyelidikan
W25Q256FVBIP Image W25Q256FVBIP IC FLASH 256M SPI 24TFBGA Penyelidikan
W98AD6KBGX6E IC MEMORY SDRAM 1GB 54VFBGA Penyelidikan
W972GG6JB-3 TR Image W972GG6JB-3 TR IC DRAM 2G PARALLEL 84WBGA Penyelidikan
W19B320ABT7H Image W19B320ABT7H IC FLASH 32M PARALLEL 48TSOP Penyelidikan
W25Q128FVFJP TR IC FLASH MEMORY 128MB Penyelidikan
W29GL256SL9C IC FLASH 256M PARALLEL 56TFBGA Penyelidikan
W631GU6KB11I IC SDRAM 1GBIT 96BGA Penyelidikan
W948D2FBJX5E Image W948D2FBJX5E IC DRAM 256M PARALLEL 90VFBGA Penyelidikan
W25Q64JVTCIQ Image W25Q64JVTCIQ IC FLASH 64M SPI 133MHZ 24TFBGA Penyelidikan
W29GL064CB7B Image W29GL064CB7B IC FLASH 64M PARALLEL 64LFBGA Penyelidikan
W25M512JVFIQ IC FLASH 512M SPI 104MHZ 16SOIC Penyelidikan
W9464G6JH-5 Image W9464G6JH-5 IC DRAM 64M PARALLEL 66TSOP II Penyelidikan
W631GU6KS-15 IC SDRAM 1GBIT 96BGA Penyelidikan
W25Q128BVFJP TR IC FLASH MEMORY 128MB Penyelidikan
W25Q64JVSFIM IC FLASH 64M SPI 133MHZ 16SOIC Penyelidikan
W9725G6KB-25 TR Image W9725G6KB-25 TR IC DRAM 256M PARALLEL 84WBGA Penyelidikan
W25Q32FVDAIQ TR IC FLASH 32M SPI 104MHZ 8DIP Penyelidikan
W971GG8JB25I Image W971GG8JB25I IC DRAM 1G PARALLEL 60WBGA Penyelidikan
W25Q128JVSIQ TR IC FLASH 128M SPI 133MHZ 8SOIC Penyelidikan
W631GG8KB-11 TR Image W631GG8KB-11 TR IC DRAM 1G PARALLEL 78WBGA Penyelidikan
W25Q128BVEIG IC FLASH 128M SPI 104MHZ 8WSON Penyelidikan
catatan 1,271