Kartu garis

Winbond Electronics Corporation

Winbond Electronics Corporation

- Winbond Electronics Corporation adalah perusahaan IC memori yang bergerak di bidang desain, manufaktur, dan layanan penjualan untuk memberikan solusi memori kualitas terbaik kepada pelanggan globalnya. Lini produk Winbond termasuk Memori Flash Penyimpanan Kode, NAND Serial dan Paralel, DRAM Khusus, dan DRAM Seluler.
Produk Winbond banyak digunakan oleh perusahaan di pasar vertikal IoT seperti komputasi, perangkat multimedia yang terhubung, mobil, sistem jaringan dan industri. Winbond menawarkan produk Flash dan DRAM kelas Industri otomotif dan Industrial dengan dukungan jangka panjang. Winbond memiliki sekitar 2.200 karyawan di seluruh dunia, yang mencakup FAB 12 inci di kantor pusatnya di Taichung, Taiwan.
Gambar Nomor bagian Deskripsi Melihat
W25Q128FVSIF IC FLASH 128M SPI 104MHZ 8SOIC Penyelidikan
W972GG6JB-3 Image W972GG6JB-3 IC DRAM 2G PARALLEL 84WBGA Penyelidikan
W94AD2KBJX5I Image W94AD2KBJX5I IC DRAM 1G PARALLEL 90VFBGA Penyelidikan
W25Q80BLUXIG TR Image W25Q80BLUXIG TR IC FLASH 8M SPI 80MHZ 8USON Penyelidikan
W631GG6MB15J IC SDRAM 1GBIT 667MHZ 96BGA Penyelidikan
W25Q80BLSNIG IC FLASH 8M SPI 80MHZ 8SOIC Penyelidikan
W25N01GVZEIG TR IC FLASH 1G SPI 104MHZ 8WSON Penyelidikan
W9825G6KH-6 Image W9825G6KH-6 IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP Penyelidikan
W631GU6MB-15 TR IC SDRAM 1GBIT 667MHZ 96BGA Penyelidikan
W25Q128FVEIQ TR IC FLASH 128M SPI 104MHZ 8WSON Penyelidikan
W947D6HBHX6E Image W947D6HBHX6E IC DRAM 128M PARALLEL 60VFBGA Penyelidikan
W9816G6JB-6 Image W9816G6JB-6 IC DRAM 16M PARALLEL 60VFBGA Penyelidikan
W9412G6KH-4 Image W9412G6KH-4 IC DRAM 128M PARALLEL 66TSOP II Penyelidikan
W29GL128CL9B TR Image W29GL128CL9B TR IC FLASH 128M PARALLEL 64LFBGA Penyelidikan
W988D2FBJX7E TR Image W988D2FBJX7E TR IC DRAM 256M PARALLEL 90VFBGA Penyelidikan
W978H2KBQX2E IC DRAM 256M PARALLEL 168WFBGA Penyelidikan
W25Q80BVSNIG IC FLASH 8M SPI 104MHZ 8SOIC Penyelidikan
W632GU8KB-15 TR Image W632GU8KB-15 TR IC DRAM 2G PARALLEL 78WBGA Penyelidikan
W25M512JVFIQ TR IC FLASH 512M SPI 104MHZ 16SOIC Penyelidikan
W25Q64FWSFIG IC FLASH 64M SPI 104MHZ 16SOIC Penyelidikan
W25Q16DVZPJP IC FLASH MEMORY 16MB Penyelidikan
W987D6HBGX7E TR Image W987D6HBGX7E TR IC DRAM 128M PARALLEL 54VFBGA Penyelidikan
W25Q128FWPIG IC FLASH 128M SPI 104MHZ 8WSON Penyelidikan
W29GL256SL9T TR Image W29GL256SL9T TR IC FLASH 256M PARALLEL 56TSOP Penyelidikan
W631GG6MB12I IC SDRAM 1GBIT 800MHZ 96BGA Penyelidikan
W25X20CLSVIG TR IC FLASH 2M SPI 104MHZ 8VSOP Penyelidikan
W9751G8KB-25 Image W9751G8KB-25 IC DRAM 512M PARALLEL 60WBGA Penyelidikan
W25Q256FVEIQ IC FLASH 256M SPI 104MHZ 8WSON Penyelidikan
W632GG6KB-12 TR Image W632GG6KB-12 TR IC DRAM 2G PARALLEL 96WBGA Penyelidikan
W25Q80DLUXIE Image W25Q80DLUXIE IC FLASH 8M SPI 104MHZ 8USON Penyelidikan
W25X10CLSNIG TR IC FLASH 1M SPI 104MHZ 8SOIC Penyelidikan
W25Q16DVSNIG TR IC FLASH 16M SPI 104MHZ 8SOIC Penyelidikan
W25Q64FVXGJQ IC FLASH MEMORY 64MB Penyelidikan
W25Q64FVSH02 IC FLASH 64M SPI 104MHZ Penyelidikan
W25Q256FVFJQ IC FLASH MEMORY 256MB Penyelidikan
W29GL512SL9T TR Image W29GL512SL9T TR IC FLASH 512M PARALLEL 56TSOP Penyelidikan
W25Q128FVSIQ TR IC FLASH 128M SPI 104MHZ 8SOIC Penyelidikan
W25Q16JVXGIQ TR IC FLASH 16M SPI 133MHZ 8XSON Penyelidikan
W9751G6KB25I Image W9751G6KB25I IC DRAM 512M PARALLEL 84WBGA Penyelidikan
W25Q64CVZEJG IC FLASH MEMORY 64MB Penyelidikan
W25Q16VSFIG IC FLASH 16M SPI 80MHZ 16SOIC Penyelidikan
W25Q32FVZPJF IC FLASH MEMORY 32MB Penyelidikan
W632GU6KB15I TR Image W632GU6KB15I TR IC DRAM 2G PARALLEL 96WBGA Penyelidikan
W25Q32FVDAIG IC FLASH 32M SPI 104MHZ 8DIP Penyelidikan
W29EE011P90Z IC FLASH 1M PARALLEL 32PLCC Penyelidikan
W631GU8KB-12 TR Image W631GU8KB-12 TR IC DRAM 1G PARALLEL 78WBGA Penyelidikan
W978H6KBVX2E Image W978H6KBVX2E IC DRAM 256M PARALLEL 134VFBGA Penyelidikan
W29GL128CH9T TR Image W29GL128CH9T TR IC FLASH 128M PARALLEL 56TSOP Penyelidikan
W632GU8KB15I Image W632GU8KB15I IC DRAM 2G PARALLEL 78WBGA Penyelidikan
W971GG8KB-25 TR Image W971GG8KB-25 TR IC DRAM 1G PARALLEL 60WBGA Penyelidikan
catatan 1,271