Kartu garis

Winbond Electronics Corporation

- Winbond Electronics Corporation adalah perusahaan IC memori yang bergerak di bidang desain, manufaktur, dan layanan penjualan untuk memberikan solusi memori kualitas terbaik kepada pelanggan globalnya. Lini produk Winbond termasuk Memori Flash Penyimpanan Kode, NAND Serial dan Paralel, DRAM Khusus, dan DRAM Seluler.
Produk Winbond banyak digunakan oleh perusahaan di pasar vertikal IoT seperti komputasi, perangkat multimedia yang terhubung, mobil, sistem jaringan dan industri. Winbond menawarkan produk Flash dan DRAM kelas Industri otomotif dan Industrial dengan dukungan jangka panjang. Winbond memiliki sekitar 2.200 karyawan di seluruh dunia, yang mencakup FAB 12 inci di kantor pusatnya di Taichung, Taiwan.

Nomor bagian	Deskripsi	Melihat
W25Q128FVPJP TR	IC FLASH MEMORY 128MB	Penyelidikan
W632GG6MB11I	IC DRAM 2G PARALLEL 933MHZ	Penyelidikan
W25Q32FVSFIG	IC FLASH 32M SPI 104MHZ 16SOIC	Penyelidikan
W9825G6JH-6I TR	IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP	Penyelidikan
W25Q16JVUUIQ TR	IC FLASH 16M SPI 133MHZ 8USON	Penyelidikan
W25X40CLUXIG TR	IC FLASH 4M SPI 104MHZ 8USON	Penyelidikan
W25Q16DWBYIG TR	IC FLASH 16M SPI 104MHZ 8WLCSP	Penyelidikan
W987D2HBJX7E	IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA	Penyelidikan
W971GG8KB25I TR	IC DRAM 1G PARALLEL 60WBGA	Penyelidikan
W25Q128FVFIG TR	IC FLASH 128M SPI 104MHZ 16SOIC	Penyelidikan
W25P20VSNIG	IC FLASH 2M SPI 40MHZ 8SOIC	Penyelidikan
W25Q64CVZPJG	IC FLASH MEMORY 64MB	Penyelidikan
W25Q32DWZEIG	IC FLASH 32M SPI 104MHZ 8WSON	Penyelidikan
W25Q80JVSNIQ	IC FLASH 8M SPI 133MHZ 8SOIC	Penyelidikan
W25Q16DVSSJG	IC FLASH MEMORY 16MB	Penyelidikan
W25Q16FWSSIQ	IC FLASH 16M SPI 104MHZ 8SOIC	Penyelidikan
W9816G6JH-5	IC DRAM 16M PARALLEL 50TSOP II	Penyelidikan
W631GU6KS-12 TR	IC SDRAM 1GBIT 96BGA	Penyelidikan
W29N01HVSINA	IC FLASH 1G PARALLEL 48TSOP	Penyelidikan
W29GL512PH9B	IC FLASH 512M PARALLEL 64LFBGA	Penyelidikan
W631GG6KB-15	IC DRAM 1G PARALLEL 96WBGA	Penyelidikan
W97BH2KBQX2E	IC DRAM 2G PARALLEL 168WFBGA	Penyelidikan
W25Q40CLUXIG TR	IC FLASH 4M SPI 104MHZ 8USON	Penyelidikan
W25Q257JVFIQ TR	IC FLASH 256MBIT 16SOIC	Penyelidikan
W25X40BVDAIG	IC FLASH 4M SPI 104MHZ 8DIP	Penyelidikan
W9812G6KH-6 TR	IC DRAM 128M PARALLEL 54TSOP	Penyelidikan
W25X32VZEIG T&R	IC FLASH 32M SPI 75MHZ 8WSON	Penyelidikan
W631GU6KB15I TR	IC DRAM 1G PARALLEL 96WBGA	Penyelidikan
W631GU6MB12I TR	IC SDRAM 1GBIT 800MHZ 96BGA	Penyelidikan
W25Q16JVSNIQ	IC FLASH 16M SPI 133MHZ 8SOIC	Penyelidikan
W9725G6IB-25	IC DRAM 256M PARALLEL 84WBGA	Penyelidikan
W25Q20EWSNIG	IC FLASH 2M SPI 104MHZ 8SOIC	Penyelidikan
W25Q32BVSSJG TR	IC FLASH MEMORY 32MB	Penyelidikan
W25Q32DWZPIG	IC FLASH 32M SPI 104MHZ 8WSON	Penyelidikan
W987D6HBGX7E	IC DRAM 128M PARALLEL 54VFBGA	Penyelidikan
W25Q256FVBJQ TR	IC FLASH MEMORY 256MB	Penyelidikan
W25X40VZPIG	IC FLASH 4M SPI 75MHZ 8WSON	Penyelidikan
W29N04GVSIAF	IC FLASH 4G PARALLEL 48TSOP	Penyelidikan
W25Q16DVUUJP TR	IC FLASH MEMORY 16MB	Penyelidikan
W9412G6KH-5I	IC DRAM 128M PARALLEL 66TSOP II	Penyelidikan
W25Q64FVSFIG TR	IC FLASH 64M SPI 104MHZ 16SOIC	Penyelidikan
W25Q16JVSSIQ	IC FLASH 16M SPI 133MHZ 8SOIC	Penyelidikan
W29N04GVBIAF	IC FLASH 4G PARALLEL 63VFBGA	Penyelidikan
W631GU6MB-12	IC SDRAM 1GBIT 800MHZ 96BGA	Penyelidikan
W947D2HBJX6E	IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA	Penyelidikan
W25Q256FVFJF	IC FLASH MEMORY 256MB	Penyelidikan
W25Q16FWSNIQ	IC FLASH 16M SPI 104MHZ 8SOIC	Penyelidikan
W25Q256FVBIG TR	IC FLASH 256M SPI 24TFBGA	Penyelidikan
W9751G8KB-25 TR	IC DRAM 512M PARALLEL 60WBGA	Penyelidikan
W632GU6KB-12	IC DRAM 2G PARALLEL 96WBGA	Penyelidikan

catatan 1,271

Halaman saat ini:5/26Sebelumnya 1 2 3 456 7 8 9 10 11 12 13 14 15 Berikutnya Akhir