SI8902EDB-T2-E1最優惠的價格和快速交貨。
BOSER Technology 是SI8902EDB-T2-E1的經銷商，我們有立即發貨的股票，也可供長期供應。請通過電子郵件將您的SI8902EDB-T2-E1購買計劃發送給我們，我們將根據您的計劃為您提供最優惠的價格。我們的電子郵箱：[email protected]
SI8902EDB-T2-E1
- 型號:
- SI8902EDB-T2-E1
- 描述:
- MOSFET 2N-CH 20V 3.9A 6-MFP
- [LeadFreeStatus]未找到翻译
- 無鉛/符合RoHS
- 數量:
- 46289 Pieces
- 發貨時間:
- 1-2 days
簡單介紹
我們的電子郵箱：[email protected]
產品特性
| 狀況 | New and Original |
|---|---|
| 來源 | Contact us |
| 分銷商 | Boser Technology |
| VGS（TH）（最大）@標識: | 1V @ 980µA |
| 供應商設備封裝: | 6-Micro Foot™ (1.5x1) |
| 系列: | TrenchFET® |
| RDS（ON）（最大值）@標識，柵極電壓: | - |
| 功率 - 最大: | 1W |
| 封装: | Tape & Reel (TR) |
| 封裝/箱體: | 6-MICRO FOOT®CSP |
| 其他名稱: | SI8902EDB-T2-E1TR SI8902EDBT2E1 |
| 工作溫度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 安裝類型: | Surface Mount |
| 濕度敏感度等級（MSL）: | 1 (Unlimited) |
| 製造商標準交貨期: | 24 Weeks |
| 無鉛狀態/ RoHS狀態: | Lead free / RoHS Compliant |
| 輸入電容（Ciss）（Max）@ Vds: | - |
| 柵極電荷（Qg）（Max）@ Vgs: | - |
| FET型: | 2 N-Channel (Dual) Common Drain |
| FET特點: | Logic Level Gate |
| 漏極至源極電壓（Vdss）: | 20V |
| 詳細說明: | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Common Drain 20V 3.9A 1W Surface Mount 6-Micro Foot™ (1.5x1) |
| 電流 - 25°C連續排水（Id）: | 3.9A |
| 基礎部件號: | SI8902 |
| Email: | [email protected] |
SI8902EDB-T2-E1的相似型號
最新資訊
- Vishay推出基于VCSEL的新款高性能反射式光传感器
- 為什麼一個小充電IC Stump Apple，華為，三星？
- 電子材料對半導體行業的重要性
- 碳基半導體如何突破？
- 中國在全球電子供應鏈中的重要作用
- 500億元！阿里巴巴收購Ziguang股份的曝光
- 成功開發了國內高壓和大容量壓接IGBT芯片和器件
- 國內半導體IP迎來了轉折點，分析了Singdong Technology的優勢和機遇
- 華為哈勃投資嚴重：密切關注半導體行業
- 包裝和測試，MOSFET飆升20％！
- Ex semiconductor industry innovation depends on advanced packaging to advance is the key to success or failure, the fastest growing advanced packaging platform 3D/2.5D stacking and fan-out
- 新的Fabs的浪潮重新出現，半導體設備的繁榮繼續