SI8902EDB-T2-E1
SI8902EDB-T2-E1
Modello di prodotti:
SI8902EDB-T2-E1
fabbricante:
Electro-Films (EFI) / Vishay
Descrizione:
MOSFET 2N-CH 20V 3.9A 6-MFP
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Senza piombo / RoHS conforme
Quantità:
46289 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Scheda dati:
SI8902EDB-T2-E1.pdf

introduzione

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Specifiche

Condizione New and Original
Origine Contact us
Distributore Boser Technology
Vgs (th) (max) a Id:1V @ 980µA
Contenitore dispositivo fornitore:6-Micro Foot™ (1.5x1)
Serie:TrenchFET®
Rds On (max) a Id, Vgs:-
Potenza - Max:1W
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:6-MICRO FOOT®CSP
Altri nomi:SI8902EDB-T2-E1TR
SI8902EDBT2E1
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:24 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:-
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:-
Tipo FET:2 N-Channel (Dual) Common Drain
Caratteristica FET:Logic Level Gate
Tensione drain-source (Vdss):20V
Descrizione dettagliata:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Common Drain 20V 3.9A 1W Surface Mount 6-Micro Foot™ (1.5x1)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:3.9A
Numero di parte base:SI8902
Email:[email protected]

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