SI8902EDB-T2-E1
SI8902EDB-T2-E1
Modèle de produit:
SI8902EDB-T2-E1
Fabricant:
Electro-Films (EFI) / Vishay
La description:
MOSFET 2N-CH 20V 3.9A 6-MFP
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité:
46289 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Fiche technique:
SI8902EDB-T2-E1.pdf

introduction

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Spécifications

État New and Original
Origine Contact us
Distributeur Boser Technology
Vgs (th) (Max) @ Id:1V @ 980µA
Package composant fournisseur:6-Micro Foot™ (1.5x1)
Séries:TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs:-
Puissance - Max:1W
Emballage:Tape & Reel (TR)
Package / Boîte:6-MICRO FOOT®CSP
Autres noms:SI8902EDB-T2-E1TR
SI8902EDBT2E1
Température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant:24 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:-
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs:-
type de FET:2 N-Channel (Dual) Common Drain
Fonction FET:Logic Level Gate
Tension drain-source (Vdss):20V
Description détaillée:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Common Drain 20V 3.9A 1W Surface Mount 6-Micro Foot™ (1.5x1)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C:3.9A
Numéro de pièce de base:SI8902
Email:[email protected]

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