SI8902EDB-T2-E1
SI8902EDB-T2-E1
Artikelnummer:
SI8902EDB-T2-E1
Hersteller:
Electro-Films (EFI) / Vishay
Beschreibung:
MOSFET 2N-CH 20V 3.9A 6-MFP
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Bleifrei / RoHS-konform
Anzahl:
46289 Pieces
Lieferzeit:
1-2 days
Datenblatt:
SI8902EDB-T2-E1.pdf

Einführung

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Spezifikation

Bedingung New and Original
Ursprung Contact us
Verteiler Boser Technology
VGS (th) (Max) @ Id:1V @ 980µA
Supplier Device-Gehäuse:6-Micro Foot™ (1.5x1)
Serie:TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs:-
Leistung - max:1W
Verpackung:Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse:6-MICRO FOOT®CSP
Andere Namen:SI8902EDB-T2-E1TR
SI8902EDBT2E1
Betriebstemperatur:-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL):1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit:24 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status:Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds:-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:-
Typ FET:2 N-Channel (Dual) Common Drain
FET-Merkmal:Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss):20V
detaillierte Beschreibung:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Common Drain 20V 3.9A 1W Surface Mount 6-Micro Foot™ (1.5x1)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C:3.9A
Basisteilenummer:SI8902
Email:[email protected]

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