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Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Transistoren-FETs, MOSFETs-Arrays > SI8902AEDB-T2-E1
SI8902AEDB-T2-E1
Artikelnummer:
SI8902AEDB-T2-E1
Hersteller:
Electro-Films (EFI) / Vishay
Beschreibung:
N-CHANNEL 24-V (D-S) MOSFET
Anzahl:
34594 Pieces
Lieferzeit:
1-2 days
Datenblatt:
SI8902AEDB-T2-E1.pdf
Anfrage

Einführung

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Spezifikation

Bedingung New and Original
Ursprung Contact us
Verteiler Boser Technology
VGS (th) (Max) @ Id:900mV @ 250µA
Supplier Device-Gehäuse:6-Micro Foot™ (1.5x1)
Serie:TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs:28 mOhm @ 1A, 4.5V
Leistung - max:5.7W
Verpackung:Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse:6-UFBGA
Betriebstemperatur:-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:Surface Mount
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds:-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:-
Typ FET:2 N-Channel (Dual)
FET-Merkmal:Standard
Drain-Source-Spannung (Vdss):24V
detaillierte Beschreibung:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 24V 11A 5.7W Surface Mount 6-Micro Foot™ (1.5x1)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C:11A
Email:[email protected]

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