SI8902AEDB-T2-E1 - Electro-Films (EFI) / Vishay Transistors - FET, MOSFET - tableaux

SI8902AEDB-T2-E1

Modèle de produit:: SI8902AEDB-T2-E1

Fabricant:: Electro-Films (EFI) / Vishay

La description:: N-CHANNEL 24-V (D-S) MOSFET

Quantité:: 34594 Pieces

Heure de livraison:: 1-2 days

Fiche technique:: SI8902AEDB-T2-E1.pdf

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Spécifications

État	New and Original
Origine	Contact us
Distributeur	Boser Technology
Vgs (th) (Max) @ Id:	900mV @ 250µA
Package composant fournisseur:	6-Micro Foot™ (1.5x1)
Séries:	TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs:	28 mOhm @ 1A, 4.5V
Puissance - Max:	5.7W
Emballage:	Tape & Reel (TR)
Package / Boîte:	6-UFBGA
Température de fonctionnement:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:	Surface Mount
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:	-
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs:	-
type de FET:	2 N-Channel (Dual)
Fonction FET:	Standard
Tension drain-source (Vdss):	24V
Description détaillée:	Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 24V 11A 5.7W Surface Mount 6-Micro Foot™ (1.5x1)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C:	11A
Email:	[email protected]

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