SI4286DY-T1-GE3
型號:
SI4286DY-T1-GE3
製造商:
Electro-Films (EFI) / Vishay
描述:
MOSFET 2N-CH 40V 7A 8SO
[LeadFreeStatus]未找到翻译
無鉛/符合RoHS
數量:
61436 Pieces
發貨時間:
1-2 days
數據表:
SI4286DY-T1-GE3.pdf

簡單介紹

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產品特性

狀況 New and Original
來源 Contact us
分銷商 Boser Technology
VGS(TH)(最大)@標識:2.5V @ 250µA
供應商設備封裝:8-SO
系列:TrenchFET®
RDS(ON)(最大值)@標識,柵極電壓:32.5 mOhm @ 8A, 10V
功率 - 最大:2.9W
封装:Tape & Reel (TR)
封裝/箱體:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
其他名稱:SI4286DY-T1-GE3TR
SI4286DYT1GE3
工作溫度:-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型:Surface Mount
濕度敏感度等級(MSL):1 (Unlimited)
無鉛狀態/ RoHS狀態:Lead free / RoHS Compliant
輸入電容(Ciss)(Max)@ Vds:375pF @ 20V
柵極電荷(Qg)(Max)@ Vgs:10.5nC @ 10V
FET型:2 N-Channel (Dual)
FET特點:Standard
漏極至源極電壓(Vdss):40V
詳細說明:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 40V 7A 2.9W Surface Mount 8-SO
電流 - 25°C連續排水(Id):7A
基礎部件號:SI4286
Email:[email protected]

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