| Şart | New and Original |
|---|---|
| Menşei | Contact us |
| Distribütör | Boser Technology |
| Id @ Vgs (th) (Max): | 2.5V @ 250µA |
| Tedarikçi Cihaz Paketi: | 8-SO |
| Dizi: | TrenchFET® |
| Id, VGS @ rds On (Max): | 32.5 mOhm @ 8A, 10V |
| Güç - Max: | 2.9W |
| paketleme: | Tape & Reel (TR) |
| Paket / Kutu: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Diğer isimler: | SI4286DY-T1-GE3TR SI4286DYT1GE3 |
| Çalışma sıcaklığı: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| bağlantı Tipi: | Surface Mount |
| Nem Hassasiyeti Seviyesi (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Kurşunsuz Durum / RoHS Durumu: | Lead free / RoHS Compliant |
| Giriş Kapasitesi (Ciss) (Max) @ Vds: | 375pF @ 20V |
| Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs: | 10.5nC @ 10V |
| FET Tipi: | 2 N-Channel (Dual) |
| FET Özelliği: | Standard |
| Kaynak Gerilim boşaltın (VDSlerin): | 40V |
| Detaylı Açıklama: | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 40V 7A 2.9W Surface Mount 8-SO |
| Akım - 25 ° C'de Sürekli Boşaltma (Id): | 7A |
| Temel Parça Numarası: | SI4286 |
| Email: | [email protected] |
