SI4286DY-T1-GE3
部品型番:
SI4286DY-T1-GE3
メーカー:
Electro-Films (EFI) / Vishay
説明:
MOSFET 2N-CH 40V 7A 8SO
[LeadFreeStatus]未找到翻译
鉛フリー/ RoHS準拠
数量:
61436 Pieces
配達時間:
1-2 days
データシート:
SI4286DY-T1-GE3.pdf

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規格

状況 New and Original
出典 Contact us
配給業者 Boser Technology
同上@ VGS(TH)(最大):2.5V @ 250µA
サプライヤデバイスパッケージ:8-SO
シリーズ:TrenchFET®
同上、Vgsは@ RDSで、(最大):32.5 mOhm @ 8A, 10V
電力 - 最大:2.9W
パッケージング:Tape & Reel (TR)
パッケージ/ケース:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
他の名前:SI4286DY-T1-GE3TR
SI4286DYT1GE3
運転温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
装着タイプ:Surface Mount
水分感受性レベル(MSL):1 (Unlimited)
鉛フリーステータス/ RoHSステータス:Lead free / RoHS Compliant
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds:375pF @ 20V
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs:10.5nC @ 10V
FETタイプ:2 N-Channel (Dual)
FET特長:Standard
ソース電圧(VDSS)にドレイン:40V
詳細な説明:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 40V 7A 2.9W Surface Mount 8-SO
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id):7A
ベース部品番号:SI4286
Email:[email protected]

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