| เงื่อนไข | New and Original |
|---|---|
| ที่มา | Contact us |
| ผู้จัดจำหน่าย | Boser Technology |
| VGS (TH) (สูงสุด) @ Id: | 2.5V @ 250µA |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ: | 8-SO |
| ชุด: | TrenchFET® |
| RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs: | 32.5 mOhm @ 8A, 10V |
| เพาเวอร์ - แม็กซ์: | 2.9W |
| บรรจุภัณฑ์: | Tape & Reel (TR) |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| ชื่ออื่น: | SI4286DY-T1-GE3TR SI4286DYT1GE3 |
| อุณหภูมิในการทำงาน: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| ประเภทการติดตั้ง: | Surface Mount |
| ระดับความไวของความชื้น (MSL): | 1 (Unlimited) |
| สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds: | 375pF @ 20V |
| ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs: | 10.5nC @ 10V |
| ประเภท FET: | 2 N-Channel (Dual) |
| คุณสมบัติ FET: | Standard |
| ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss): | 40V |
| คำอธิบายโดยละเอียด: | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 40V 7A 2.9W Surface Mount 8-SO |
| ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส: | 7A |
| หมายเลขชิ้นส่วนพื้นฐาน: | SI4286 |
| Email: | [email protected] |
