RN1427TE85LF
型號:
RN1427TE85LF
製造商:
Toshiba Semiconductor and Storage
描述:
TRANS PREBIAS NPN 200MW SMINI
[LeadFreeStatus]未找到翻译
無鉛/符合RoHS
數量:
53674 Pieces
發貨時間:
1-2 days
數據表:
RN1427TE85LF.pdf

簡單介紹

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產品特性

狀況 New and Original
來源 Contact us
分銷商 Boser Technology
電壓 - 集電極發射極擊穿(最大):50V
Vce飽和(最大)@ IB,IC:250mV @ 1mA, 50mA
晶體管類型:NPN - Pre-Biased
供應商設備封裝:S-Mini
系列:-
電阻器 - 發射器底座(R2):10 kOhms
電阻器 - 基座(R1):2.2 kOhms
功率 - 最大:200mW
封装:Tape & Reel (TR)
封裝/箱體:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
其他名稱:RN1427(TE85L,F)
安裝類型:Surface Mount
濕度敏感度等級(MSL):1 (Unlimited)
製造商標準交貨期:11 Weeks
無鉛狀態/ RoHS狀態:Lead free / RoHS Compliant
頻率 - 轉換:300MHz
詳細說明:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 800mA 300MHz 200mW Surface Mount S-Mini
直流電流增益(HFE)(最小值)@ IC,的Vce:90 @ 100mA, 1V
電流 - 集電極截止(最大):500nA
電流 - 集電極(Ic)(最大):800mA
基礎部件號:RN142*
Email:[email protected]

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