RN1427TE85LF
部品型番:
RN1427TE85LF
メーカー:
Toshiba Semiconductor and Storage
説明:
TRANS PREBIAS NPN 200MW SMINI
[LeadFreeStatus]未找到翻译
鉛フリー/ RoHS準拠
数量:
53674 Pieces
配達時間:
1-2 days
データシート:
RN1427TE85LF.pdf

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規格

状況 New and Original
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配給業者 Boser Technology
電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大):50V
IB、IC @ Vce飽和(最大):250mV @ 1mA, 50mA
トランジスタ型式:NPN - Pre-Biased
サプライヤデバイスパッケージ:S-Mini
シリーズ:-
抵抗器ベース(R2):10 kOhms
抵抗器 - ベース(R1):2.2 kOhms
電力 - 最大:200mW
パッケージング:Tape & Reel (TR)
パッケージ/ケース:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
他の名前:RN1427(TE85L,F)
装着タイプ:Surface Mount
水分感受性レベル(MSL):1 (Unlimited)
メーカーの標準リードタイム:11 Weeks
鉛フリーステータス/ RoHSステータス:Lead free / RoHS Compliant
周波数 - トランジション:300MHz
詳細な説明:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 800mA 300MHz 200mW Surface Mount S-Mini
Icを、Vceは@ DC電流ゲイン(hFEの)(最小):90 @ 100mA, 1V
電流 - コレクタ遮断(最大):500nA
電流 - コレクタ(Ic)(Max):800mA
ベース部品番号:RN142*
Email:[email protected]

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