RN1427TE85LF
Número de pieza:
RN1427TE85LF
Fabricante:
Toshiba Semiconductor and Storage
Descripción:
TRANS PREBIAS NPN 200MW SMINI
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad:
53674 Pieces
El tiempo de entrega:
1-2 days
Ficha de datos:
RN1427TE85LF.pdf

Introducción

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Especificaciones

Condición New and Original
Origen Contact us
Distribuidor Boser Technology
Tensión - Colector-emisor (máx):50V
VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic:250mV @ 1mA, 50mA
Tipo de transistor:NPN - Pre-Biased
Paquete del dispositivo:S-Mini
Serie:-
Resistor - Base del emisor (R2):10 kOhms
Resistor - Base (R1):2.2 kOhms
Potencia - Max:200mW
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Otros nombres:RN1427(TE85L,F)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:11 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Frecuencia - Transición:300MHz
Descripción detallada:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 800mA 300MHz 200mW Surface Mount S-Mini
DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce:90 @ 100mA, 1V
Corriente - corte del colector (Max):500nA
Corriente - colector (Ic) (Max):800mA
Número de pieza base:RN142*
Email:[email protected]

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