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IRFD110
- 型號:
- IRFD110
- 描述:
- MOSFET N-CH 100V 1A 4-DIP
- [LeadFreeStatus]未找到翻译
- 包含鉛/ RoHS不兼容
- 數量:
- 61292 Pieces
- 發貨時間:
- 1-2 days
- 數據表:
- IRFD110.pdf
簡單介紹
我們的電子郵箱：[email protected]
產品特性
| 狀況 | New and Original |
|---|---|
| 來源 | Contact us |
| 分銷商 | Boser Technology |
| VGS（TH）（最大）@標識: | 4V @ 250µA |
| Vgs（最大）: | ±20V |
| 技術: | MOSFET (Metal Oxide) |
| 供應商設備封裝: | 4-DIP, Hexdip, HVMDIP |
| 系列: | - |
| RDS（ON）（最大值）@標識，柵極電壓: | 540 mOhm @ 600mA, 10V |
| 功率耗散（最大）: | 1.3W (Ta) |
| 封装: | Tube |
| 封裝/箱體: | 4-DIP (0.300", 7.62mm) |
| 其他名稱: | *IRFD110 IRFD111 IRFD112 |
| 工作溫度: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 安裝類型: | Through Hole |
| 濕度敏感度等級（MSL）: | 1 (Unlimited) |
| 無鉛狀態/ RoHS狀態: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| 輸入電容（Ciss）（Max）@ Vds: | 180pF @ 25V |
| 柵極電荷（Qg）（Max）@ Vgs: | 8.3nC @ 10V |
| FET型: | N-Channel |
| FET特點: | - |
| 驅動電壓（最大Rds開，最小Rds開）: | 10V |
| 漏極至源極電壓（Vdss）: | 100V |
| 詳細說明: | N-Channel 100V 1A (Ta) 1.3W (Ta) Through Hole 4-DIP, Hexdip, HVMDIP |
| 電流 - 25°C連續排水（Id）: | 1A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
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