| Condição | New and Original |
|---|---|
| Origem | Contact us |
| Distribuidor | Boser Technology |
| VGS (th) (Max) @ Id: | 4V @ 250µA |
| Vgs (Max): | ±20V |
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Embalagem do dispositivo fornecedor: | 4-DIP, Hexdip, HVMDIP |
| Série: | - |
| RDS ON (Max) @ Id, VGS: | 540 mOhm @ 600mA, 10V |
| Dissipação de energia (Max): | 1.3W (Ta) |
| Embalagem: | Tube |
| Caixa / Gabinete: | 4-DIP (0.300", 7.62mm) |
| Outros nomes: | *IRFD110 IRFD111 IRFD112 |
| Temperatura de operação: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo de montagem: | Through Hole |
| Nível de sensibilidade à umidade (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Status sem chumbo / status de RoHS: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 180pF @ 25V |
| Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs: | 8.3nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Característica FET: | - |
| Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado): | 10V |
| Escorra a tensão de fonte (Vdss): | 100V |
| Descrição detalhada: | N-Channel 100V 1A (Ta) 1.3W (Ta) Through Hole 4-DIP, Hexdip, HVMDIP |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C: | 1A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
