| Tilstand | New and Original |
|---|---|
| Opprinnelse | Contact us |
| distributør | Boser Technology |
| Vgs (th) (Maks) @ Id: | 4V @ 250µA |
| Vgs (maks): | ±20V |
| Teknologi: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Leverandør Enhetspakke: | 4-DIP, Hexdip, HVMDIP |
| Serie: | - |
| Rds På (Maks) @ Id, Vgs: | 540 mOhm @ 600mA, 10V |
| Strømdissipasjon (maks): | 1.3W (Ta) |
| emballasje: | Tube |
| Pakke / tilfelle: | 4-DIP (0.300", 7.62mm) |
| Andre navn: | *IRFD110 IRFD111 IRFD112 |
| Driftstemperatur: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Monteringstype: | Through Hole |
| Vannfølsomhetsnivå (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Lead Free Status / RoHS Status: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Inputkapasitans (Ciss) (Maks) @ Vds: | 180pF @ 25V |
| Gateavgift (Qg) (Maks) @ Vgs: | 8.3nC @ 10V |
| FET Type: | N-Channel |
| FET-funksjonen: | - |
| Drivspenning (Maks. Rds På, Min Rds På): | 10V |
| Drain til Source Voltage (VDSS): | 100V |
| Detaljert beskrivelse: | N-Channel 100V 1A (Ta) 1.3W (Ta) Through Hole 4-DIP, Hexdip, HVMDIP |
| Strøm - Kontinuerlig avløp (Id) @ 25 ° C: | 1A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
