| Condição | New and Original |
|---|---|
| Origem | Contact us |
| Distribuidor | Boser Technology |
| VGS (th) (Max) @ Id: | 4V @ 250µA |
| Vgs (Max): | ±20V |
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Embalagem do dispositivo fornecedor: | 4-DIP, Hexdip, HVMDIP |
| Série: | - |
| RDS ON (Max) @ Id, VGS: | 200 mOhm @ 860mA, 10V |
| Dissipação de energia (Max): | 1W (Tc) |
| Embalagem: | Tube |
| Caixa / Gabinete: | 4-DIP (0.300", 7.62mm) |
| Outros nomes: | *IRFD010PBF |
| Temperatura de operação: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montagem: | Through Hole |
| Nível de sensibilidade à umidade (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Status sem chumbo / status de RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 250pF @ 25V |
| Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs: | 13nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Característica FET: | - |
| Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado): | 10V |
| Escorra a tensão de fonte (Vdss): | 50V |
| Descrição detalhada: | N-Channel 50V 1.7A (Tc) 1W (Tc) Through Hole 4-DIP, Hexdip, HVMDIP |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C: | 1.7A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
