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状況 | New and Original |
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出典 | Contact us |
配給業者 | Boser Technology |
同上@ VGS(TH)(最大): | 4V @ 250µA |
Vgs(最大): | ±20V |
技術: | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ: | 4-DIP, Hexdip, HVMDIP |
シリーズ: | - |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大): | 200 mOhm @ 860mA, 10V |
電力消費(最大): | 1W (Tc) |
パッケージング: | Tube |
パッケージ/ケース: | 4-DIP (0.300", 7.62mm) |
他の名前: | *IRFD010PBF |
運転温度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
装着タイプ: | Through Hole |
水分感受性レベル(MSL): | 1 (Unlimited) |
鉛フリーステータス/ RoHSステータス: | Lead free / RoHS Compliant |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds: | 250pF @ 25V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs: | 13nC @ 10V |
FETタイプ: | N-Channel |
FET特長: | - |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン): | 10V |
ソース電圧(VDSS)にドレイン: | 50V |
詳細な説明: | N-Channel 50V 1.7A (Tc) 1W (Tc) Through Hole 4-DIP, Hexdip, HVMDIP |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id): | 1.7A (Tc) |
Email: | [email protected] |