| Состояние | New and Original |
|---|---|
| происхождения | Contact us |
| дистрибьютор | Boser Technology |
| Vgs (й) (Max) @ Id: | 4V @ 250µA |
| Vgs (макс.): | ±20V |
| Технологии: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Поставщик Упаковка устройства: | 4-DIP, Hexdip, HVMDIP |
| Серии: | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 200 mOhm @ 860mA, 10V |
| Рассеиваемая мощность (макс): | 1W (Tc) |
| упаковка: | Tube |
| Упаковка /: | 4-DIP (0.300", 7.62mm) |
| Другие названия: | *IRFD010PBF |
| Рабочая Температура: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Тип установки: | Through Hole |
| Уровень чувствительности влаги (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Статус бесплатного свидания / Статус RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds: | 250pF @ 25V |
| Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs: | 13nC @ 10V |
| Тип FET: | N-Channel |
| FET Характеристика: | - |
| Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On): | 10V |
| Слить к источнику напряжения (VDSS): | 50V |
| Подробное описание: | N-Channel 50V 1.7A (Tc) 1W (Tc) Through Hole 4-DIP, Hexdip, HVMDIP |
| Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C: | 1.7A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
