| Feltétel | New and Original |
|---|---|
| Eredet | Contact us |
| Elosztó | Boser Technology |
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 4V @ 250µA |
| Vgs (Max): | ±20V |
| Technológia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Szállító eszközcsomag: | 4-DIP, Hexdip, HVMDIP |
| Sorozat: | - |
| RDS bekapcsolva (Max) @ Id, Vgs: | 200 mOhm @ 860mA, 10V |
| Teljesítményleadás (Max): | 1W (Tc) |
| Csomagolás: | Tube |
| Csomagolás / tok: | 4-DIP (0.300", 7.62mm) |
| Más nevek: | *IRFD010PBF |
| Üzemi hőmérséklet: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Szerelési típus: | Through Hole |
| Nedvességérzékenységi szint (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Ólommentes állapot / RoHS állapot: | Lead free / RoHS Compliant |
| Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds: | 250pF @ 25V |
| Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs: | 13nC @ 10V |
| FET típus: | N-Channel |
| FET funkció: | - |
| Hajtás feszültség (Max Rds bekapcsolva, Min Rds bekapcsolva): | 10V |
| Leeresztés a forrásfeszültséghez (Vdss): | 50V |
| Részletes leírás: | N-Channel 50V 1.7A (Tc) 1W (Tc) Through Hole 4-DIP, Hexdip, HVMDIP |
| Áram - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: | 1.7A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
