IRFD024PBF
IRFD024PBF
Тип продуктов:
IRFD024PBF
производитель:
Electro-Films (EFI) / Vishay
Описание:
MOSFET N-CH 60V 2.5A 4-DIP
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Без свинца / Соответствует RoHS
Количество:
40163 Pieces
Срок поставки:
1-2 days
Техническая спецификация:
IRFD024PBF.pdf

Введение

IRFD024PBF лучшая цена и быстрая доставка.
BOSER Technology является дистрибьютором IRFD024PBF, у нас есть запасы для немедленной доставки, а также доступны для длительной поставки. Пожалуйста, отправьте нам свой план покупки для IRFD024PBF по электронной почте, мы предложим вам лучшую цену согласно вашему плану.
Наш электронный адрес: [email protected]

Спецификация

Состояние New and Original
происхождения Contact us
дистрибьютор Boser Technology
Vgs (й) (Max) @ Id:4V @ 250µA
Vgs (макс.):±20V
Технологии:MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства:4-DIP, Hexdip, HVMDIP
Серии:-
Rds On (Max) @ Id, Vgs:100 mOhm @ 1.5A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс):1.3W (Ta)
упаковка:Tube
Упаковка /:4-DIP (0.300", 7.62mm)
Другие названия:*IRFD024PBF
Рабочая Температура:-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип установки:Through Hole
Уровень чувствительности влаги (MSL):1 (Unlimited)
Стандартное время изготовления:16 Weeks
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds:640pF @ 25V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs:25nC @ 10V
Тип FET:N-Channel
FET Характеристика:-
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On):10V
Слить к источнику напряжения (VDSS):60V
Подробное описание:N-Channel 60V 2.5A (Ta) 1.3W (Ta) Through Hole 4-DIP, Hexdip, HVMDIP
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C:2.5A (Ta)
Email:[email protected]

Быстрый запрос Цитировать

Тип продуктов
Количество
Компания
Эл. почта
Телефон
Примечание

Latest Новости