Nyheter
AOS släpper 1200V Silicon Carbide MOS-transistorer (αsiska mosfs)
För några dagar sedan lanserade Alpha och Omega-halvkods - en välkänd leverantör av krafthalvledare, chips och digitala kraftprodukter som integrerar design, FoU, produktion och global försäljning, en optimerad till-247- 4L-paket, ett nytt 1200V-kiselkarbid MOS-rör (αsisk mosfet) i linje med AEC-Q101-standard-AOM033V120x2Q. Detta 1200V Silicon Carbide Mos-röret är ett till-247-4l bilmätare som kan acceptera 15V standardgrinddrivrutiner och ger branschens ledande lägsta motstånd, som uppfyller kraven på elektriska fordon (EV) fordonsladdare och motordrivningsomformare Hög effektivitet och tillförlitlighetskrav för laddare och ombord laddningsplattor.
Med den accelererande utvecklingen av den elektriska fordonsmarknaden med miljontals enheter varje år, implementerar automakers alltmer 800V elektriska system för att minska systemets storlek och vikt samtidigt som det förlänger EV-kryssområdet. Förbättra sin laddningshastighet avsevärt. AOS 1200V Automotive-Grade αsic Mosfet är speciellt utformad för dessa krävande tillämpningskrav. Jämfört med traditionella kiselenheter har den utmärkt växlingsprestanda och effektivitet.
AOM033V120X2Q är ett 1200V / 33MΩ SIC MOS-rör, baserat på vår andra generationens aSic MOSFET-plattform, med hjälp av till-247-4L optimerat paket. Till skillnad från det vanliga 3-poliga paketet kan användningen av ytterligare Kelvin-källkänsliga stift minskas den parasitiska induktansen på förpackningsens inre slinga, vilket gör att anordningen kan fungera vid en högre omkopplingsfrekvens. Jämfört med standardpaketet kan omkopplingsförlusten minskas med upp till 75%. Dess portkörningsspänning är bara 15V, vilket gör att portföraren har den bredaste kompatibiliteten, vilket gör det enkelt att använda i olika systemdesigner. Dessutom har αsisk MOSFET en mycket liten ökning av motståndet vid en hög temperatur på 175 ° C, vilket kraftigt minskar strömförlusten och ytterligare förbättrar effektiviteten.
"För att fortsätta att främja elektrisk fordonsteknik för att ersätta traditionella förbränningsmotorbaserade transportfordon, arbetar automakers hårt för att expandera kryssområdet och förkorta laddningstiden. Med frisläppandet av 1200V αsiska mosfets som uppfyller fordonsregleringsstandarderna , AOS kan tillhandahålla designers ger mer avancerad nästa generations halvledarteknik för att förbättra effektiviteten och uppnå energieffektivitetsmål. " David Sheridan, senior chef för Wide Bandgap produkter på AOS, sade: "På grund av kombinationen av produktprestanda, tillförlitlighet och försörjningskedja med massproduktionskapacitet har våra kunder valt vår teknik."
Produktportföljen av ASIC MOSFET kommer att utökas under andra halvåret i år för att inkludera ett bredare utbud av statiska på resistanser och fler förpackningsalternativ, liksom fler produkter som har godkänt AEC-Q101 Automotive Certification Standards. Vänta och se.
Med den accelererande utvecklingen av den elektriska fordonsmarknaden med miljontals enheter varje år, implementerar automakers alltmer 800V elektriska system för att minska systemets storlek och vikt samtidigt som det förlänger EV-kryssområdet. Förbättra sin laddningshastighet avsevärt. AOS 1200V Automotive-Grade αsic Mosfet är speciellt utformad för dessa krävande tillämpningskrav. Jämfört med traditionella kiselenheter har den utmärkt växlingsprestanda och effektivitet.
AOM033V120X2Q är ett 1200V / 33MΩ SIC MOS-rör, baserat på vår andra generationens aSic MOSFET-plattform, med hjälp av till-247-4L optimerat paket. Till skillnad från det vanliga 3-poliga paketet kan användningen av ytterligare Kelvin-källkänsliga stift minskas den parasitiska induktansen på förpackningsens inre slinga, vilket gör att anordningen kan fungera vid en högre omkopplingsfrekvens. Jämfört med standardpaketet kan omkopplingsförlusten minskas med upp till 75%. Dess portkörningsspänning är bara 15V, vilket gör att portföraren har den bredaste kompatibiliteten, vilket gör det enkelt att använda i olika systemdesigner. Dessutom har αsisk MOSFET en mycket liten ökning av motståndet vid en hög temperatur på 175 ° C, vilket kraftigt minskar strömförlusten och ytterligare förbättrar effektiviteten.
"För att fortsätta att främja elektrisk fordonsteknik för att ersätta traditionella förbränningsmotorbaserade transportfordon, arbetar automakers hårt för att expandera kryssområdet och förkorta laddningstiden. Med frisläppandet av 1200V αsiska mosfets som uppfyller fordonsregleringsstandarderna , AOS kan tillhandahålla designers ger mer avancerad nästa generations halvledarteknik för att förbättra effektiviteten och uppnå energieffektivitetsmål. " David Sheridan, senior chef för Wide Bandgap produkter på AOS, sade: "På grund av kombinationen av produktprestanda, tillförlitlighet och försörjningskedja med massproduktionskapacitet har våra kunder valt vår teknik."
Produktportföljen av ASIC MOSFET kommer att utökas under andra halvåret i år för att inkludera ett bredare utbud av statiska på resistanser och fler förpackningsalternativ, liksom fler produkter som har godkänt AEC-Q101 Automotive Certification Standards. Vänta och se.