Nyheder
AOS udgiver 1200V siliciumcarbid MOS Transistorer (αsic MOSFETS)
For nogle dage siden, Alpha og Omega Semiconductor Limited (AOS, NASDAQ Code: AOSL), en velkendt leverandør af krafthalvledere, chips og digitale kraftprodukter, der integrerer design, F & U, produktion og globalt salg, lanceret en optimeret til-247- 4L pakke, en ny 1200V siliciumcarbide mos tube (αic MOSFET) i overensstemmelse med AEC-Q101 standard-AOM033V120X2Q. Denne 1200V siliciumcarbid MOS TUBE er en bilmåler-pakke til 247-4L, der kan acceptere 15V standardportdrivere, og giver branchens førende laveste modresistens, der opfylder kravene til elektriske køretøjer (EV) køretøjs opladere og motordrevomformer Høj effektivitet og pålidelighedskrav til opladere og indbyggede bunker.
Med den accelererende udvikling af det elektriske køretøjsmarked af millioner af enheder hvert år implementerer bilproducenterne i stigende grad 800V elektriske systemer for at reducere systemets størrelse og vægt, samtidig med at systemets størrelse strækker sig, samtidig med at systemets størrelse og udvides. Betydeligt forbedre sin opladningshastighed. AOS 1200V Automotive-Grade ASIC MOSFET er specielt designet til disse krævende ansøgningskrav. Sammenlignet med traditionelle silicium-enheder har den fremragende omskiftning ydeevne og effektivitet.
AOM033V120X2Q er et 1200V / 33MΩ SIC MOS TUBE, baseret på vores anden generation af αsic MOSFET-platform, ved hjælp af til-247-4L-optimeret pakke. I modsætning til standard 3-polet pakning kan brugen af yderligere Kelvin-kildesensingstifter reducere parasitisk induktans på pakkenes interne sløjfe, så enheden kan fungere ved en højere omskifterfrekvens. Sammenlignet med standardpakken kan skifteabet reduceres med op til 75%. Dens portdrev spænding er kun 15V, som gør det muligt for portdriveren at have den bredeste kompatibilitet, hvilket gør det nemt at bruge i forskellige systemdesign. Derudover har αsic MOSFET en meget lille stigning i modresistens ved en høj temperatur på 175 ° C, hvilket i høj grad reducerer strømforsyningen og forbedrer yderligere effektiviteten.
"For at fortsætte med at fremme elektrisk køretøjsteknologi til at erstatte traditionelle forbrændingsmotorbaserede transportkøretøjer arbejder bilproducenterne hårdt for at udvide cruising rækken og forkorte opladningstiden. Med udgivelsen af 1200V αic MOSFETs, der opfylder køretøjets reguleringsstandarder , AOS kan levere designere tilvejebringe mere avancerede næste generationens halvlederteknologier for at forbedre effektiviteten og opnå energieffektivitetsmål. " David Sheridan, ledende direktør for brede bandgap produkter på AOS, sagde: "På grund af kombinationen af produktets ydeevne, pålidelighed og en forsyningskæde med masseproduktionskapacitet har vores kunder valgt vores teknologi."
Den αsic MOSFET-produktportefølje vil blive udvidet i anden halvdel af dette år for at inkludere et bredere udvalg af statiske on-resistances og flere emballage muligheder samt flere produkter, der har bestået AEC-Q101 Automotive Certification Standards. Vent venligst og se.
Med den accelererende udvikling af det elektriske køretøjsmarked af millioner af enheder hvert år implementerer bilproducenterne i stigende grad 800V elektriske systemer for at reducere systemets størrelse og vægt, samtidig med at systemets størrelse strækker sig, samtidig med at systemets størrelse og udvides. Betydeligt forbedre sin opladningshastighed. AOS 1200V Automotive-Grade ASIC MOSFET er specielt designet til disse krævende ansøgningskrav. Sammenlignet med traditionelle silicium-enheder har den fremragende omskiftning ydeevne og effektivitet.
AOM033V120X2Q er et 1200V / 33MΩ SIC MOS TUBE, baseret på vores anden generation af αsic MOSFET-platform, ved hjælp af til-247-4L-optimeret pakke. I modsætning til standard 3-polet pakning kan brugen af yderligere Kelvin-kildesensingstifter reducere parasitisk induktans på pakkenes interne sløjfe, så enheden kan fungere ved en højere omskifterfrekvens. Sammenlignet med standardpakken kan skifteabet reduceres med op til 75%. Dens portdrev spænding er kun 15V, som gør det muligt for portdriveren at have den bredeste kompatibilitet, hvilket gør det nemt at bruge i forskellige systemdesign. Derudover har αsic MOSFET en meget lille stigning i modresistens ved en høj temperatur på 175 ° C, hvilket i høj grad reducerer strømforsyningen og forbedrer yderligere effektiviteten.
"For at fortsætte med at fremme elektrisk køretøjsteknologi til at erstatte traditionelle forbrændingsmotorbaserede transportkøretøjer arbejder bilproducenterne hårdt for at udvide cruising rækken og forkorte opladningstiden. Med udgivelsen af 1200V αic MOSFETs, der opfylder køretøjets reguleringsstandarder , AOS kan levere designere tilvejebringe mere avancerede næste generationens halvlederteknologier for at forbedre effektiviteten og opnå energieffektivitetsmål. " David Sheridan, ledende direktør for brede bandgap produkter på AOS, sagde: "På grund af kombinationen af produktets ydeevne, pålidelighed og en forsyningskæde med masseproduktionskapacitet har vores kunder valgt vores teknologi."
Den αsic MOSFET-produktportefølje vil blive udvidet i anden halvdel af dette år for at inkludere et bredere udvalg af statiske on-resistances og flere emballage muligheder samt flere produkter, der har bestået AEC-Q101 Automotive Certification Standards. Vent venligst og se.