Новини
AOS освобождава 1200V силициев карбид MOS транзистори (αsic Mosfets)
Преди няколко дни, Alpha и Omega Semiconductor Limited (AOS, NASDAQ код: AOSL), добре познат доставчик на мощност полупроводници, чипове и цифрови електроцентрали, интегриран дизайн, научноизследователска и развойна дейност, производство и глобални продажби, стартира оптимизиран до-247- 4L пакет, нов 1200V силициев карбид MOS тръба (αsic MOSFET) в съответствие с AEC-Q101 Standard-AOM033V120X2Q. Този 1200V силициев карбид MOS тръба е A to-247-4L автомобилен пакет, който може да приеме 15V стандартни драйвери за порта, и осигурява водеща в индустрията най-ниска съпротива, отговаряща на изискванията на зарядните устройства за електрически превозни средства (EV) и инвертори на двигателя Висока ефективност и изисквания за надеждност за зарядни устройства и на борда за зареждане.
С ускоряващото развитие на пазара на електрически превозни средства от милиони единици всяка година автомобилите все повече прилагат 800V електрически системи, за да намалят размера и теглото на системата, като същевременно се разширяват промиването на EV. Значително подобряване на скоростта на зареждане. AOS 1200V автомобил-клас αsic MOSFET е специално проектиран за тези изисквания за взискателни приложения. В сравнение с традиционните силициеви устройства, тя има отлична производителност и ефективност.
AOM033V120x2Q е 1200V / 33MΩ SIC MOS тръба, базирана на нашето второ поколение αsic MOSFET платформа, използвайки оптимизиран пакет за 247-4L. За разлика от стандартния 3-пинов пакет, използването на допълнителни щифтове за измерване на келвин може да намали паразитната индуктивност на вътрешния контур на опаковката, което позволява на устройството да работи при по-висока честота на превключване. В сравнение със стандартния пакет, загубата на превключване може да бъде намалена с до 75%. Неговото напрежение на задвижването на вратата е само 15V, което позволява на драйвера на врата да има най-широка съвместимост, което го прави лесен за използване в различни системни дизайни. В допълнение, αsic MOSFET има много малко увеличение на съпротива при висока температура от 175 ° C, което значително намалява загубата на енергия и допълнително подобрява ефективността.
"За да продължите да насърчавате технологията на електрическите превозни средства, за да заменим традиционните транспортни превозни средства, базирани на вътрешно горене, автомобилопроизводителите работят усилено, за да разширят марката за круиз и съкращават времето за зареждане. С пускането на 1200V αsic MOSFETs, които отговарят на стандартите за проверка на нормативната уредба , AOS може да предостави на дизайнерите по-напреднали полупроводникови технологии от следващо поколение, за да подобрят ефективността и да постигнат целите на енергийната ефективност. " Дейвид Шеридан, старши директор на широки продукти на Bandgap в AOS, каза: "Поради комбинацията от производителност, надеждност и верига за доставки с възможности за масово производство, нашите клиенти са избрали нашата технология."
Продуктовата портфолио на αSIS MOSFET ще бъде разширена през втората половина на тази година, за да се включи по-широк диапазон от статични съпротивления и повече опции за опаковане, както и повече продукти, които са преминали AEC-Q101 автомобилни стандарти за сертифициране. Моля, изчакайте и вижте.
С ускоряващото развитие на пазара на електрически превозни средства от милиони единици всяка година автомобилите все повече прилагат 800V електрически системи, за да намалят размера и теглото на системата, като същевременно се разширяват промиването на EV. Значително подобряване на скоростта на зареждане. AOS 1200V автомобил-клас αsic MOSFET е специално проектиран за тези изисквания за взискателни приложения. В сравнение с традиционните силициеви устройства, тя има отлична производителност и ефективност.
AOM033V120x2Q е 1200V / 33MΩ SIC MOS тръба, базирана на нашето второ поколение αsic MOSFET платформа, използвайки оптимизиран пакет за 247-4L. За разлика от стандартния 3-пинов пакет, използването на допълнителни щифтове за измерване на келвин може да намали паразитната индуктивност на вътрешния контур на опаковката, което позволява на устройството да работи при по-висока честота на превключване. В сравнение със стандартния пакет, загубата на превключване може да бъде намалена с до 75%. Неговото напрежение на задвижването на вратата е само 15V, което позволява на драйвера на врата да има най-широка съвместимост, което го прави лесен за използване в различни системни дизайни. В допълнение, αsic MOSFET има много малко увеличение на съпротива при висока температура от 175 ° C, което значително намалява загубата на енергия и допълнително подобрява ефективността.
"За да продължите да насърчавате технологията на електрическите превозни средства, за да заменим традиционните транспортни превозни средства, базирани на вътрешно горене, автомобилопроизводителите работят усилено, за да разширят марката за круиз и съкращават времето за зареждане. С пускането на 1200V αsic MOSFETs, които отговарят на стандартите за проверка на нормативната уредба , AOS може да предостави на дизайнерите по-напреднали полупроводникови технологии от следващо поколение, за да подобрят ефективността и да постигнат целите на енергийната ефективност. " Дейвид Шеридан, старши директор на широки продукти на Bandgap в AOS, каза: "Поради комбинацията от производителност, надеждност и верига за доставки с възможности за масово производство, нашите клиенти са избрали нашата технология."
Продуктовата портфолио на αSIS MOSFET ще бъде разширена през втората половина на тази година, за да се включи по-широк диапазон от статични съпротивления и повече опции за опаковане, както и повече продукти, които са преминали AEC-Q101 автомобилни стандарти за сертифициране. Моля, изчакайте и вижте.