Informações
AOS lança transistores de mosa de carboneto de 1200V silicone (Mosfets αsic)
Há alguns dias, Alpha e Omega Semiconductor Limited (AOS, Código NASDAQ: AOSL), um fornecedor bem conhecido de semicondutores de potência, chips e produtos de energia digital integrando design, P & D, produção e vendas globais, lançou um otimizado para-247- Pacote 4L, um novo tubo de carboneto de silicone de 1200V (Mosfet αsic) em linha com o padrão AEC-Q101-AOMA033V120X2Q. Este pacote de carboneto de silicone de 1200V é um pacote de calibre de carro para 247-4l que pode aceitar drivers de porta padrão de 15V e fornece a mais baixa resistência do setor, atendendo aos requisitos dos carregadores de veículos elétricos (EV) e inversores de automóveis Altos requisitos de eficiência e confiabilidade para carregadores e pilhas de cobrança a bordo.
Com o desenvolvimento acelerador do mercado de veículos elétricos por milhões de unidades a cada ano, as montadoras estão implementando cada vez mais os sistemas elétricos de 800V para reduzir o tamanho e o peso do sistema, também estendendo a faixa de cruzamento EV. Melhorar significativamente sua velocidade de carregamento. O Mosfet AOS 1200V Automotive-grau é especialmente projetado para esses exigentes requisitos de aplicação. Em comparação com os dispositivos tradicionais de silício, tem excelente desempenho e eficiência de comutação.
A Aom033v120x2Q é um tubo de 1200V / 33mΩ SIC MOS, com base na nossa plataforma Mosfet da segunda geração, utilizando pacote otimizado para-247-4L. Ao contrário do pacote padrão de 3 pinos, o uso de pinos adicionais de detecção de fontes de Kelvin pode reduzir a indutância parasita no loop interno do pacote, permitindo que o dispositivo funcione em uma maior frequência de comutação. Em comparação com o pacote padrão, a perda de comutação pode ser reduzida em até 75%. Sua tensão de unidade de portão é apenas 15V, que permite que o driver de portão tenha a compatibilidade mais ampla, facilitando a utilização em vários desenhos do sistema. Além disso, o Mosfet ísico tem um aumento muito pequeno na resistência a uma alta temperatura de 175 ° C, o que reduz muito a perda de energia e melhora ainda mais a eficiência.
"Para continuar a promover a tecnologia de veículos elétricos para substituir os veículos de transporte tradicionais de combustão interna, as montadoras estão trabalhando duro para expandir o intervalo de cruzeiro e encurtar o tempo de carregamento. Com a liberação de Mosfets αsic 1200V que atendem aos padrões de verificação de regulamentação de veículos , A AOS pode fornecer aos designers fornecer tecnologias de semicondutores de próxima geração mais avançadas para melhorar a eficiência e obter metas de eficiência energética ". David Sheridan, diretor sênior de produtos largos de bandgap na AOS, disse: "Devido à combinação de desempenho, confiabilidade e uma cadeia de suprimentos com capacidades de produção em massa, nossos clientes escolheram nossa tecnologia".
O portfólio do produto Mosfet αsic será expandido no segundo semestre deste ano para incluir uma gama mais ampla de resistências estáticas e mais opções de embalagem, bem como mais produtos que passaram pelos padrões de certificação automotiva AEC-Q101. Por favor, espere e veja.
Com o desenvolvimento acelerador do mercado de veículos elétricos por milhões de unidades a cada ano, as montadoras estão implementando cada vez mais os sistemas elétricos de 800V para reduzir o tamanho e o peso do sistema, também estendendo a faixa de cruzamento EV. Melhorar significativamente sua velocidade de carregamento. O Mosfet AOS 1200V Automotive-grau é especialmente projetado para esses exigentes requisitos de aplicação. Em comparação com os dispositivos tradicionais de silício, tem excelente desempenho e eficiência de comutação.
A Aom033v120x2Q é um tubo de 1200V / 33mΩ SIC MOS, com base na nossa plataforma Mosfet da segunda geração, utilizando pacote otimizado para-247-4L. Ao contrário do pacote padrão de 3 pinos, o uso de pinos adicionais de detecção de fontes de Kelvin pode reduzir a indutância parasita no loop interno do pacote, permitindo que o dispositivo funcione em uma maior frequência de comutação. Em comparação com o pacote padrão, a perda de comutação pode ser reduzida em até 75%. Sua tensão de unidade de portão é apenas 15V, que permite que o driver de portão tenha a compatibilidade mais ampla, facilitando a utilização em vários desenhos do sistema. Além disso, o Mosfet ísico tem um aumento muito pequeno na resistência a uma alta temperatura de 175 ° C, o que reduz muito a perda de energia e melhora ainda mais a eficiência.
"Para continuar a promover a tecnologia de veículos elétricos para substituir os veículos de transporte tradicionais de combustão interna, as montadoras estão trabalhando duro para expandir o intervalo de cruzeiro e encurtar o tempo de carregamento. Com a liberação de Mosfets αsic 1200V que atendem aos padrões de verificação de regulamentação de veículos , A AOS pode fornecer aos designers fornecer tecnologias de semicondutores de próxima geração mais avançadas para melhorar a eficiência e obter metas de eficiência energética ". David Sheridan, diretor sênior de produtos largos de bandgap na AOS, disse: "Devido à combinação de desempenho, confiabilidade e uma cadeia de suprimentos com capacidades de produção em massa, nossos clientes escolheram nossa tecnologia".
O portfólio do produto Mosfet αsic será expandido no segundo semestre deste ano para incluir uma gama mais ampla de resistências estáticas e mais opções de embalagem, bem como mais produtos que passaram pelos padrões de certificação automotiva AEC-Q101. Por favor, espere e veja.