| Tillstånd | New and Original |
|---|---|
| Ursprung | Contact us |
| Distributör | Boser Technology |
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 4V @ 1mA |
| Vgs (Max): | +25V, -5V |
| Teknologi: | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Leverantörs Device Package: | TO-247-3 |
| Serier: | Z-FET™ |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 110 mOhm @ 20A, 20V |
| Effektdissipation (Max): | 215W (Tc) |
| Förpackning: | Tube |
| Förpackning / Fodral: | TO-247-3 |
| Driftstemperatur: | -55°C ~ 135°C (TJ) |
| Monteringstyp: | Through Hole |
| Fuktkänslighetsnivå (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Ledningsfri status / RoHS-status: | Lead free / RoHS Compliant |
| Inputkapacitans (Ciss) (Max) @ Vds: | 1915pF @ 800V |
| Gate Laddning (Qg) (Max) @ Vgs: | 90.8nC @ 20V |
| FET-typ: | N-Channel |
| FET-funktionen: | - |
| Drivspänning (Max Rds På, Min Rds På): | 20V |
| Avlopp till källspänning (Vdss): | 1200V |
| detaljerad beskrivning: | N-Channel 1200V 42A (Tc) 215W (Tc) Through Hole TO-247-3 |
| Ström - Kontinuerlig avlopp (Id) @ 25 ° C: | 42A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
