| Stan | New and Original |
|---|---|
| Pochodzenie | Contact us |
| Dystrybutor | Boser Technology |
| VGS (th) (Max) @ Id: | 4V @ 1mA |
| Vgs (maks.): | +25V, -5V |
| Technologia: | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | TO-247-3 |
| Seria: | Z-FET™ |
| RDS (Max) @ ID, Vgs: | 110 mOhm @ 20A, 20V |
| Strata mocy (max): | 215W (Tc) |
| Opakowania: | Tube |
| Package / Case: | TO-247-3 |
| temperatura robocza: | -55°C ~ 135°C (TJ) |
| Rodzaj mocowania: | Through Hole |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds: | 1915pF @ 800V |
| Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs: | 90.8nC @ 20V |
| Rodzaj FET: | N-Channel |
| Cecha FET: | - |
| Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On): | 20V |
| Spust do źródła napięcia (Vdss): | 1200V |
| szczegółowy opis: | N-Channel 1200V 42A (Tc) 215W (Tc) Through Hole TO-247-3 |
| Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C: | 42A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
