| Condición | New and Original |
|---|---|
| Origen | Contact us |
| Distribuidor | Boser Technology |
| VGS (th) (Max) @Id: | 4V @ 1mA |
| Vgs (Max): | +25V, -5V |
| Tecnología: | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Paquete del dispositivo: | TO-247-3 |
| Serie: | Z-FET™ |
| RDS (Max) @Id, Vgs: | 110 mOhm @ 20A, 20V |
| La disipación de energía (máximo): | 215W (Tc) |
| embalaje: | Tube |
| Paquete / Cubierta: | TO-247-3 |
| Temperatura de funcionamiento: | -55°C ~ 135°C (TJ) |
| Tipo de montaje: | Through Hole |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Estado sin plomo / Estado RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 1915pF @ 800V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs: | 90.8nC @ 20V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Característica de FET: | - |
| Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On): | 20V |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las: | 1200V |
| Descripción detallada: | N-Channel 1200V 42A (Tc) 215W (Tc) Through Hole TO-247-3 |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C: | 42A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
