| شرط | New and Original |
|---|---|
| الأصل | Contact us |
| موزع | Boser Technology |
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 4V @ 1mA |
| فغس (ماكس): | +25V, -5V |
| تكنولوجيا: | SiCFET (Silicon Carbide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | TO-247-3 |
| سلسلة: | Z-FET™ |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 110 mOhm @ 20A, 20V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 215W (Tc) |
| التعبئة والتغليف: | Tube |
| حزمة / كيس: | TO-247-3 |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 135°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Through Hole |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 1915pF @ 800V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 90.8nC @ 20V |
| نوع FET: | N-Channel |
| FET الميزة: | - |
| محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على): | 20V |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 1200V |
| وصف تفصيلي: | N-Channel 1200V 42A (Tc) 215W (Tc) Through Hole TO-247-3 |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 42A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
