NGTG15N60S1EG
NGTG15N60S1EG
Modelo do Produto:
NGTG15N60S1EG
Fabricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrição:
IGBT 600V 30A 117W TO220-3
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade:
59619 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days
Ficha de dados:
NGTG15N60S1EG.pdf

Introdução

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Especificações

Condição New and Original
Origem Contact us
Distribuidor Boser Technology
Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max):600V
Vce (on) (Max) @ VGE, Ic:1.7V @ 15V, 15A
Condição de teste:400V, 15A, 22 Ohm, 15V
Td (ligar / desligar) @ 25 ° C:65ns/170ns
Alternando Energia:550µJ (on), 350µJ (off)
Embalagem do dispositivo fornecedor:TO-220
Série:-
Power - Max:117W
Embalagem:Tube
Caixa / Gabinete:TO-220-3
Outros nomes:NGTG15N60S1EG-ND
NGTG15N60S1EGOS
Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Through Hole
Nível de sensibilidade à umidade (MSL):1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Tipo de entrada:Standard
Tipo de IGBT:NPT
portão de carga:88nC
Descrição detalhada:IGBT NPT 600V 30A 117W Through Hole TO-220
Atual - Collector Pulsada (ICM):120A
Atual - Collector (Ic) (Max):30A
Email:[email protected]

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