NGTG20N60L2TF1G
NGTG20N60L2TF1G
Modelo do Produto:
NGTG20N60L2TF1G
Fabricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrição:
IGBT 600V 40A 64W TO-3PF
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade:
44426 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days
Ficha de dados:
NGTG20N60L2TF1G.pdf

Introdução

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Especificações

Condição New and Original
Origem Contact us
Distribuidor Boser Technology
Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max):600V
Vce (on) (Max) @ VGE, Ic:1.65V @ 15V, 20A
Condição de teste:300V, 20A, 30 Ohm, 15V
Td (ligar / desligar) @ 25 ° C:60ns/193ns
Alternando Energia:-
Série:-
Power - Max:64W
Embalagem:Tube
Caixa / Gabinete:TO-3P-3 Full Pack
Outros nomes:NGTG20N60L2TF1GOS
Temperatura de operação:175°C (TJ)
Tipo de montagem:Through Hole
Nível de sensibilidade à umidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:4 Weeks
Status sem chumbo / status de RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Tipo de entrada:Standard
Tipo de IGBT:-
portão de carga:84nC
Descrição detalhada:IGBT 600V 40A 64W Through Hole
Atual - Collector Pulsada (ICM):105A
Atual - Collector (Ic) (Max):40A
Email:[email protected]

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