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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - IGBTs - Single > NGTD28T65F2WP
NGTD28T65F2WP
Modelo do Produto:
NGTD28T65F2WP
Fabricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrição:
IGBT TRENCH FIELD STOP 650V DIE
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade:
82206 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days
Ficha de dados:
NGTD28T65F2WP.pdf
inquérito

Introdução

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Especificações

Condição New and Original
Origem Contact us
Distribuidor Boser Technology
Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max):650V
Vce (on) (Max) @ VGE, Ic:2V @ 15V, 75A
Condição de teste:-
Td (ligar / desligar) @ 25 ° C:-
Alternando Energia:-
Embalagem do dispositivo fornecedor:Die
Série:-
Embalagem:Bulk
Caixa / Gabinete:Die
Temperatura de operação:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Tempo de entrega padrão do fabricante:4 Weeks
Status sem chumbo / status de RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Tipo de entrada:Standard
Tipo de IGBT:Trench Field Stop
Descrição detalhada:IGBT Trench Field Stop 650V Surface Mount Die
Atual - Collector Pulsada (ICM):200A
Email:[email protected]

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