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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - IGBTs - Single > NGTD30T120F2WP
NGTD30T120F2WP
Modelo do Produto:
NGTD30T120F2WP
Fabricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrição:
IGBT TRENCH FIELD STOP 1200V DIE
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade:
60277 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days
Ficha de dados:
NGTD30T120F2WP.pdf
inquérito

Introdução

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Especificações

Condição New and Original
Origem Contact us
Distribuidor Boser Technology
Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max):1200V
Vce (on) (Max) @ VGE, Ic:2.4V @ 15V, 40A
Condição de teste:-
Td (ligar / desligar) @ 25 ° C:-
Alternando Energia:-
Embalagem do dispositivo fornecedor:Die
Série:-
Embalagem:Bulk
Caixa / Gabinete:Die
Temperatura de operação:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Tempo de entrega padrão do fabricante:21 Weeks
Status sem chumbo / status de RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Tipo de entrada:Standard
Tipo de IGBT:Trench Field Stop
Descrição detalhada:IGBT Trench Field Stop 1200V Surface Mount Die
Atual - Collector Pulsada (ICM):200A
Email:[email protected]

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