NGTD30T120F2WP
Modello di prodotti:
NGTD30T120F2WP
fabbricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione:
IGBT TRENCH FIELD STOP 1200V DIE
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Senza piombo / RoHS conforme
Quantità:
60277 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Scheda dati:
NGTD30T120F2WP.pdf

introduzione

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Specifiche

Condizione New and Original
Origine Contact us
Distributore Boser Technology
Tensione - rottura collettore-emettitore (max):1200V
Vce (on) (max) a VGE, Ic:2.4V @ 15V, 40A
Condizione di test:-
Td (on / off) @ 25 ° C:-
di scambio energetico:-
Contenitore dispositivo fornitore:Die
Serie:-
imballaggio:Bulk
Contenitore / involucro:Die
temperatura di esercizio:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Produttore tempi di consegna standard:21 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Tipo di ingresso:Standard
Tipo IGBT:Trench Field Stop
Descrizione dettagliata:IGBT Trench Field Stop 1200V Surface Mount Die
Corrente - collettore Pulsed (Icm):200A
Email:[email protected]

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